[发明专利]具有数据预取功能的Flash控制器结构及其实现方法在审
申请号: | 201911404111.8 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111158753A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 王爽;孙静;丁岩;王丹;张振华 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
主分类号: | G06F9/22 | 分类号: | G06F9/22 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 王倩 |
地址: | 110032 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 数据 功能 flash 控制器 结构 及其 实现 方法 | ||
本发明涉及具有数据预取功能的Flash控制器结构及其实现方法,按照控制器系统中的指令与数据大部分顺序执行的原则,根据控制器中的处理器访问的地址要求,判断数据或指令是否已经预取完成,利用单个处理器读取资源,完成双数据或指令读取和预取,设计实现一种带有指令预取功能的Flash控制器结构,可以在不改变处理器性能的前提下,提高微控制器系统处理速度,提高系统效率。满足嵌入式微控制器设计领域的高性能与低功耗的要求。
技术领域
本发明属于嵌入式微控制器领域,提出了一种可以实现数据预取的Flash控制器架构设计。
背景技术
在嵌入式系统的应用中,进行主从机通信和从机自身任务处理时,需要经常与从机MCU进行运行数据的存取。过去传统的方法是在MCU上外挂存储器以存取数据。这种方法需要增加MCU与存储器的读写接口,增加了MCU的管脚负担,减慢了数据的读写速度的同时还增加了功耗。
随着智能化的普及及物联网的兴起,内置嵌入式Flash的微控制器(MCU:MicroControl Unit)在工业控制以及消费电子类市场得到了越来越广泛的使用。针对这种低功耗、低成本、高性能的应用环境,本文涉及并实现了一款具有数据预取功能的Flash控制器结构。
发明内容
本发明目的是采用组相连Flash结构,设计一种嵌入式微控制器内置的具有数据预取功能的高性能、低功耗的Flash控制器。在不提升系统时钟的情况下,完成带有数据预取功能的嵌入式异步Flash的数据存取,从而达到提升系统性能的目的,由于提升的性能在原有的系统时钟下实现,也最大程度的控制了高性能微控制器的系统功耗。满足嵌入式微处理器应用领域的高性能与低功耗的要求。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是:带有数据预取功能的Flash控制器结构,包括:
地址译码器,用于完成对处理器地址的译码,形成片选和控制信号发给Flash控制器和特殊功能寄存器单元;
Flash控制器,用于根据片选和控制信号完成从处理器到组相连Flash结构之间的时序转换、数据读取和预取数据的保存;
特殊功能寄存器单元,用于根据Flash控制器的工作方式和对Flash存储器的控制方式进行参数配置并保存;
组相连Flash结构,用于从各自存储区反馈数据给Flash控制器,当前访问地址的数据同时反馈给处理器总线,其余数据缓存在Flash控制器的缓冲存储器中。
所述Flash控制器,对处理器发出的相同地址,从各个Flash Seg中同时读出对应地址的数据,反馈给Flash控制器进行处理和缓存。
组相连Flash结构中各个Seg的选择由处理器发出的地址通过译码得出:低位地址用于字节、半字和字选择;中段地址用于Flash Seg选择;高位地址用于同一Seg中的地址偏移选择。
所述Flash控制器中设有对应组相连Flash结构的Seg数减1的缓冲存储器,用于存放预取出的指令或数据。
组相连Flash结构包括多个Seg,Seg数根据实际设计需求设计大于等于2个Seg的组相连结构Flash。
采用组相连Flash结构和带有数据预取功能的Flash控制器,在不提高系统时钟频率的基础上,通过对处理器发出的统一地址,从组相连Flash结构中同时读回多个数据,存放在Flash控制器的缓冲存储器中,实现Flash指令和数据的预取。
带有数据预取功能的Flash控制器的实现方法,包括以下步骤:
地址译码器完成对处理器地址的译码,形成片选和控制信号发给Flash控制器和特殊功能寄存器单元;
通过处理器总线对特殊功能寄存器进行配置,完成对Flash控制器行为的控制;
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