[发明专利]一种键合结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911403367.7 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111106022A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 刘天建;胡杏;占迪 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘晓菲 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种键合结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供底晶圆，所述底晶圆具有阵列排布的裸片，所述裸片表面上形成有混合键合结构，混合键合结构包括介质键合层以及导电键合垫；
提供第1至第N芯片，N≥1，从所述芯片的背面预先形成有背连线结构和混合键合结构，所述背连线结构分别连接芯片中的互连线以及芯片的导电键合垫，且当N≥2时，第1至第N-1芯片的正面还形成有混合键合结构且正面的导电键合垫连接至芯片中的互连线；
利用混合键合结构，在底晶圆的各裸片上依次键合第n芯片，以实现芯片与裸片的互连，n从1至N且为自然数。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，第N芯片的正面还形成有衬垫，所述衬垫连接至第N芯片中的互连线。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，各芯片通过晶圆级测试。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电键合垫的材料为铜，所述介质键合层的材料包括氧化硅、NDC和或他们的组合。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制造方法，其特征在于，芯片的形成方法包括：
提供形成有芯片的待键合晶圆；
在待键合晶圆的正面键合载片；
以所述载片为支撑晶圆，在所述待键合晶圆的背面形成背连线结构以及混合键合结构；
去除载片；
进行待键合晶圆的切割，以获得键合用的芯片。
6.一种键合结构，其特征在于，包括：
底层晶圆，所述底晶圆具有阵列排布的裸片，所述裸片表面上形成有混合键合结构，混合键合结构包括介质键合层以及导电键合垫；
第1至第N芯片，N≥1且为自然数，所述芯片的背面上形成有背连线结构和混合键合结构，所述背连线结构分别连接芯片中的互连线以及导电键合垫，且当N≥2时，第1至第N-1芯片的正面还形成有混合键合结构且正面的导电键合垫连接至芯片中的互连线，各所述芯片利用混合键合结构依次堆叠键合在裸片之上。
7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，第N芯片的正面还形成有衬垫，所述衬垫连接至第N芯片中的互连线。
8.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，各芯片通过晶圆级测试。
9.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述导电键合垫的材料为铜，所述介质键合层的材料包括氧化硅、NDC和或他们的组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
