[发明专利]一种图案化的钙钛矿量子点光学膜的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201911400511.1 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN113122249B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 钟海政;詹雯杰 申请(专利权)人: 致晶科技(北京)有限公司;北京理工大学
主分类号: C09K11/66 分类号: C09K11/66;C09K11/02;C08L33/12;C08L33/20;C08K3/16;C08J5/18;G09F9/33;B82Y20/00;B82Y30/00
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 张莹;杨晓云
地址: 100081 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 图案 钙钛矿 量子 光学 制备 方法 应用
【说明书】:

本申请公开了一种图案化的钙钛矿量子点光学膜的制备方法及应用,至少包括:将含有钙钛矿量子点前驱体的待处理膜,在激光的照射下,反应,得到图案化的钙钛矿量子点光学膜;其中,钙钛矿量子点光学膜中含有钙钛矿量子点。该方法利用激光高能且精准的聚焦作用,在指定区域形成量子点。本申请可以利用激光直写技术成型精度高的特点,完成微米、亚微米级图案的制备。

技术领域

本申请涉及一种图案化的钙钛矿量子点光学膜的制备方法及应用,属于量子点发光技术领域。

背景技术

近年来,量子点因为具有良好的发光性能,窄发射,宽吸收,发光波长可调,发光效率高而受到研究人员广泛关注。量子点的图案化技术尤其是微图案化在未来的Micro-LED显示、柔性器件、光电探测及器件集成方面方面均具有重要应用。近年来,通过传统的模板法、光刻技术已经能够制备出二维和三维的图案化量子点薄膜,但是其制备工艺复杂,成本昂贵,且对量子点破坏较大。而最近成为热点的喷墨直写技术受限于墨水独特的流变特性,最小成型尺寸也大于20μm。

因此,亟需寻找一种既简单快捷,又精确可控的量子点微图案化技术手段。

发明内容

本申请提供了一种钙钛矿量子点微图案的制备方法,该方法利用激光高能且精准的聚焦作用,在指定区域形成量子点。本申请可以利用激光直写技术成型精度高的特点,完成微米、亚微米级图案的制备,这是其他直写技术所不能实现的。

根据本申请的一方面,提供了一种图案化的钙钛矿量子点光学膜的制备方法,至少包括:将含有钙钛矿量子点前驱体的待处理膜,在激光的照射下,反应,得到图案化的钙钛矿量子点光学膜;其中,所述钙钛矿量子点光学膜中含有钙钛矿量子点。

可选地,所述待处理膜中还含有透明树脂基质;所述钙钛矿量子点前驱体分布在所述透明树脂基质中。

可选地,所述待处理膜的厚度为0.01~500μm。

可选地,所述钙钛矿量子点前驱体包括卤化物I和卤化物II;

所述卤化物I选自具有式I所示化学式的化合物中的至少一种:

M1X1n   式I

其中,M1为金属阳离子,所述金属选自In、Ag、Al、Ti、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Mn中的至少一种,X1为卤素阴离子,所述卤素选自Cl、Br、I中的至少一种,n为M的价态;

所述卤化物II选自具有式II所示化学式的化合物中的至少一种:

A1X2   式II

其中,A1选自Cs+、CH3NH3+、CH5N2+、中的至少一种,X2为卤素阴离子,所述卤素选自Cl、Br、I中的至少一种中的至少一种。

优选地,所述卤化物I和卤化物II的摩尔比为0.6:1~1.4:1。

可选地,所述透明树脂基质为溶解于二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜极性溶剂中的透明材料。

优选地,所述透明树脂基质包括聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、醋酸纤维素、聚砜、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、ABS塑料、聚丙烯腈中的至少一种。

可选地,所述激光的波长为365nm~650nm,选用该波段的激光是因为所述钙钛矿前驱体吸收该波段的光并产生热效应。

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