[发明专利]一种遮光片及其发黑处理方法

说明书

本发明提供了一种遮光片的发黑处理方法，包括至少一次打底处理和至少一次发黑处理；由本发明的遮光片的发黑处理方法处理得到的遮光片，表面均匀致密，厚度也得到提升，因此兼具良好的消光性能和更佳的耐用性。

【技术领域】

本发明涉及材料表面处理领域，具体涉及一种遮光片及其发黑处理方法。

【背景技术】

黄铜遮光片表面发黑处理是一种通过化学方法在其黄铜表面生成一层黑色哑光的氧化膜；从而达到消光、防腐的效果。

现有的遮光片发黑处理工艺中如果需要达到理想度氧化层厚度需要在发黑剂中添加较高浓度的氧化剂，因此使得反应较为剧烈，不可控，因此容易造成遮光片的过腐蚀；最终使得经过发黑处理的遮光片具有如下缺陷：氧化膜疏松，易脱落；反射率高，消光效果不理想；生产良率低下，产品易出现叠合。

因此为了黄铜遮光片提高良品率以及遮光片的品质，开发一种新的遮光片表面处理方法是十分有必要的。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种遮光片的发黑处理方法以解决现有的遮光片的表面处理方法处理得到的遮光片消光效果差，整体良品率低的问题。

为了解决上述问题本发明提供了一种遮光片的发黑处理方法，包括至少一次打底处理和至少一次发黑处理；

所述打底处理具体为将待打底处理的遮光片浸泡于打底液中静置；所述打底液为包括20～40wt％的氢氧化钠、0.5～1.5wt％的氧化剂和0.2～1wt％的络合剂的混合水溶液；

所述发黑处理具体为将待发黑处理的遮光片浸泡于发黑液中均匀抖动；所述发黑液为包括1～5wt％的氢氧化钠或氢氧化钾、5～15wt％的氧化剂和0.2～1wt％的缓蚀剂的混合水溶液。

优选地，所述打底处理的处理温度为80～120℃，处理时间为120～300s。

优选地，所述发黑处理的处理温度为80～120℃，处理时间为120～300s。

优选地，所述氧化剂为过硫酸钾、次氯酸钠、氯酸钠中的至少一种；

优选地，所述络合剂为酒石酸钾钠、磷酸钠中的至少一种；

优选地，所述缓蚀剂为苯并三氮唑、磷酸三钠中的至少一种。

优选地，所述待打底处理的遮光片还经过消光处理；所述消光处理具体为将待消光处理的遮光片浸泡于消光液中静置；所述消光液为氧化性强酸和有机缓蚀剂的水溶液，所述溶液中溶质的含量为5-10g/L，其中有机缓蚀剂含量占总溶质含量的0.1-1％；所述氧化性强酸为硫酸、硝酸中的至少一种；所述有机缓蚀剂为硫脲、乌洛托品、苯并三氮唑中的至少一种。

进一步优选地，所述消光处理的温度为25-45℃，处理时间为5-30s。

进一步优选地，所述待消光处理的遮光片还经过清洁处理；所述清洁处理具体为将待清洁处理的遮光片浸泡于清洁液中静置；所述清洁处理的处理温度为40-60℃，处理时间为300-1200s；所述清洁液中清洁剂的含量为30-80g/L，所述清洁剂为氢氧化钠、三乙醇胺、水玻璃、苯并三氮唑，界面活性剂中的至少一种。

优选地，所述发黑处理后的遮光片还经过烘烤处理；所述烘烤处理具体为将待烘烤处理的遮光片于100-150℃下烘烤600-1200s。

进一步优选地，所述烘烤处理后的遮光片还经过抛光处理；所述抛光处理具体为将待抛光处理的遮光片与粒径未0.1-1mm的核桃壳磨料放入拋光机中高速旋转抛光。

本发明另一方面提供了经所述发黑处理方法处理得到的遮光片。