[发明专利]低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺

说明书

本发明公开了低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺，其包括基材，所述基材两侧面都涂覆有抗静电图层，其中一所述抗静电图层外侧面涂覆有粘合剂图层，所述粘合剂图层外侧粘贴有离型膜，所述粘合剂图层内添加有改善导电性能的纳米碳管，以使得所述粘合剂图层的抗静电指数小于10⁹。本发明的低指数双面抗静电硅胶保护膜通过在有机硅胶胶水中加入适量的纳米碳管材料，改善有机硅胶涂层的导电性，并使有机硅涂层中的碳管呈空间网状交联的结构，促使硅胶表面和原膜基材表层的抗静电涂层衔接，以获得低指数的双面抗静电硅胶保护膜。

技术领域

本发明属于薄膜设备领域，具体涉及一种低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺。

背景技术

当前，电子产品蓬勃发展，硅胶保护膜的用量每年倍增，电子元件、配件越来越小、智能化组装速度越来越快。在电子产品的生产过程中更容易产生静电。如果组装过程中还使用主流的普通的或背面带抗静电的硅胶保护膜，客户在使用过程中会经常发生静电释放现象，会导致大量电子元件损坏，产品良率和效率大大降低，同时容易引发火灾。

缺陷和不足：

1.有机硅胶涂层导电性能很差，在生产过程中的相互接触和摩擦，会导致静电的累积，当与易导电材料接触的时候，会发生静电释放。

2.当前国内，双面抗静电硅胶保护膜胶面抗静电指数能够做到10⁹-10¹²，而10⁹以内的抗静电保护膜技术还需要开发，抗静电指数不达标，在电子行业应用具有缺陷，容易破坏电子原件，而国内一般客户会选择从国外进口的。

发明内容

为了克服上述问题，本发明提供一种易制备的低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺。

本发明的技术方案是提供一种低指数双面抗静电硅胶保护膜，其包括基材，所述基材两侧面都涂覆有抗静电图层，其中一所述抗静电图层外侧面涂覆有粘合剂图层，所述粘合剂图层外侧粘贴有离型膜，所述粘合剂图层内添加有改善导电性能的纳米碳管，以使得所述粘合剂图层的抗静电指数小于10⁹。

优选的，所述粘合剂图层外侧印有网格形花纹。

优选的，所述粘合剂图层由有机硅胶涂覆制成。

优选的，所述粘合剂图层的抗静电指数在10⁶～10⁸之间。

优选的，未涂覆所述粘合剂图层一侧的所述抗静电图层的抗静电指数在10⁶～10⁸之间。

本发明还提供一种低指数双面抗静电硅胶保护膜制备工艺，其用于制备权利要求1至5其中之一所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其包括以下步骤：

1）在基材两侧涂覆抗静电图层，并收卷，放入涂布机；

2）配料，按设定的比例将纳米碳管和粘合剂混合，搅拌5-10分钟后，得到抗静电粘合剂，所述抗静电粘合剂经过3um的滤芯进行过滤，并经过300目过滤盘过滤后导入到涂布头中；

3）涂胶，所述基材经过所述涂布头，在一侧的所述抗静电图层涂布所述抗静电粘合剂以获得所述粘合剂图层；

4）经过烘箱进行烘干，烘干时所述粘合剂图层朝上；

5）印花，通过网纹辊对所述粘合剂图层进行印花，以在所述粘合剂图层表面形成网纹形花纹。

6）收卷。

优选的，所述步骤1）中包括，对所述抗静电图层进行抗静电值检测，选择抗静电值较低的一侧所述抗静电图层进行步骤3）的涂胶处理。