[发明专利]电子阻挡薄膜，量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种用于量子点发光二极管的电子阻挡薄膜，所述电子阻挡薄膜包括通式为R¹‑Si(OR²)₃的化合物；或者，形成所述电子阻挡薄膜的原料包括通式为R¹‑Si(OR²)₃的化合物；其中，R²选自：H、CH₃、C₂H₅中的一种，R¹选自：(CH₂)_nX，n为3～6之间的整数，X选自：‑P(OR³)₂，‑P(R³)₂，‑SH、‑NH₂、‑COOH中的一种，R₃为(CH₂)_mCH₃，m为1～7之间的整数。本发明电子阻挡薄膜不但可以调节电子注入到发光层的速率，使量子点发光层内部空穴与电子数目对等，提高电子和空穴在发光层的复合效率；而且可以起到较好的界面修饰作用，降低量子点发光层表面粗糙度，从而使量子点发光二极管整体性能更稳定。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种用于量子点发光二极管的电子阻挡薄膜，一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，量子点由于具有显著的量子点限域效应，使得其具有发光波长可调、峰宽窄、发光效率高、寿命长、热稳定性高和优良的可溶液加工性等优点，在新型显示和照明、太阳能电池、生物标记等领域具有广泛地应用前景。量子点(QD)发光材料在LED(发光二极管)照明、液晶显示等领域发挥了很大的作用，量子点替代传统的荧光粉，有效地提高了LED以及液晶显示的色域。最近，发光材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。

量子点发光二极管是两侧电子和空穴在量子点层中汇聚后形成激子复合发光。在电场作用下，处于阴极中的电子和阳极中的空穴在外加驱动电压的驱动下会向器件的发光层移动，在向器件发光层移动的过程中，为了便于载流子的注入和迁移，在量子点发光层两侧分别设置空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层，此时电子和空穴首先需要克服阴极与电子注入层及阳极与空穴注入层之间的能级势垒，然后经由电子注入层和空穴注入层向器件的电子传输层和空穴传输层移动，电子传输层和空穴传输层会分别将电子和空穴移动到器件发光层的界面处，并在量子点发光层内复合成激子进行发光。

然而，目前空穴迁移率相对于电子迁移率较低，造成了量子点发光层内部电子和空穴数目不对等，同时也容易使激子在空穴传输层内复合，而并非在期望的量子点发光层内复合，影响其发光性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子阻挡薄膜，旨在解决现有空穴迁移率相对于电子迁移率较低，造成了量子点发光层内部电子和空穴数目不对等，同时也容易使激子在空穴传输层内复合，而并非在期望的量子点发光层内复合等技术问题。

本发明的再一目的在于提供一种量子点发光二极管。

本发明的另一目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法。

为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：