[发明专利]真空处理系统、基台的驱动装置及其控制方法在审
申请号: | 201911379900.0 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113053714A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 龚岳俊;黄允文 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/687 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陕芳芳 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 处理 系统 驱动 装置 及其 控制 方法 | ||
本发明公开了一种真空处理系统、基台的驱动装置及其控制方法,该基台的驱动装置包括用于承载所述基台的支撑部件和至少两个驱动单元,所述驱动单元的驱动端与所述支撑部件连接,各所述驱动单元的驱动端与所述支撑部件的连接位置相对所述支撑部件的竖向中心线对称设置,以驱动所述支撑部件沿竖向升降。该驱动装置的结构设计能够提高晶片在真空处理系统的真空腔室竖直升降的可靠性,降低升降过程中偏斜的机率,精确控制晶片与喷头之间的间隙。
技术领域
本发明涉及半导体加工设备技术领域,特别是涉及一种真空处理系统、基台的驱动装置及其控制方法。
背景技术
在半导体元件的制造过程中,通常需要在真空环境中对被处理的半导体晶片进行沉积、刻蚀或氧化等处理。
待处理的晶片在真空腔室内由支撑部件支撑,在实际处理过程中,为获得较好的处理效果,需要调节真空腔室内喷头与晶片之间的间隙。支撑晶片的支撑部件以可升降的方式设置在真空腔室内,以便于调节晶片与喷头之间的间隙。
现有的真空处理系统中,受结构限制,驱动支撑部件升降的机构往往偏设于一侧,即驱动支撑部件升降的驱动力方向与支撑部件升降的中心线偏心且相距较远,实际操作时,被支撑部件支撑的晶片在升降时偏斜的可能性较高,影响处理效果。
发明内容
本发明的目的是提供一种真空处理系统、基台的驱动装置及其控制方法,该基台的驱动装置,通过结构改进能够提高晶片在真空处理系统的真空腔室内竖直升降的可靠性,降低升降过程中偏斜的机率,精确控制晶片与喷头之间的间隙。
为解决上述技术问题,本发明提供一种基台的驱动装置,包括用于承载所述基台的支撑部件和至少两个驱动单元,所述驱动单元的驱动端与所述支撑部件连接,各所述驱动单元的驱动端与所述支撑部件的连接位置相对所述支撑部件的竖向中心线对称设置,以驱动所述支撑部件沿竖向升降。
如上所述的基台的驱动装置,还包括复合阻尼系统,用于防止所述支撑部件在移动过程中偏斜;所述复合阻尼系统包括至少两个复合阻尼单元,所述复合阻尼单元设于所述驱动单元与所述支撑部件之间。
如上所述的基台的驱动装置,所述驱动单元包括驱动源和升降件,所述驱动源用于驱动所述升降件沿竖向升降,所述支撑部件通过连接桥与所述升降件连接,所述复合阻尼单元具体设于所述连接桥与所述升降件之间。
如上所述的基台的驱动装置,所述驱动源为电机,所述驱动单元还包括与所述电机的输出端连接的驱动轴,所述驱动轴的长度方向与所述支撑部件的竖向中心线平行,所述电机用于带动所述驱动轴转动;所述升降件包括升降块和与所述升降块固接的过渡连接件,所述升降块与所述驱动轴螺纹连接,所述连接桥与所述过渡连接件连接。
如上所述的基台的驱动装置,所述连接桥和所述过渡连接件具有位置对应的连接孔,两者通过贯穿所述连接孔的连接销连接,所述连接孔的孔径大于所述连接销的径向尺寸,以使所述连接销与所述连接孔之间具有设定的活动余量。
如上所述的基台的驱动装置,所述复合阻尼单元包括垂向阻尼器和水平阻尼器,所述垂向阻尼器的一端与所述过渡连接件抵接,另一端与所述连接销抵接,所述水平阻尼器的一端与所述连接桥抵接,另一端与所述连接销抵接。
如上所述的基台的驱动装置,所述支撑部件包括圆形筒和固接于所述圆形筒两端的端板,所述圆形筒的轴向中心线为所述支撑部件的竖向中心线。
如上所述的基台的驱动装置,还包括控制器,所述控制器与各所述驱动单元通信连接,所述控制器用于控制各所述驱动单元同步动作。
一种真空处理系统,包括具有真空腔室的腔体部件、位于所述真空腔室的基台和驱动所述基台竖向升降的驱动装置,其特征在于,所述驱动装置为上述任一项所述的基台的驱动装置,所述支撑部件的竖向中心线与所述腔体部件的轴向中心线重合。
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