[发明专利]一种蓝宝石刻蚀方法在审
申请号: | 201911367076.7 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111180331A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 王晓慧;李志;席庆男;许南发 | 申请(专利权)人: | 山东元旭光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;G03F7/00;G03F7/16 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 杨筠 |
地址: | 261000 山东省潍坊市高新*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 蓝宝石 刻蚀 方法 | ||
1.一种蓝宝石刻蚀方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:
S1、利用光刻技术和压印技术制作一次掩模图形,通过一次干法刻蚀蓝宝石,得到初级结构的蓝宝石衬底图形;
S2、利用光刻技术和压印技术再制作一次掩模图形,再通过一次干法刻蚀得到的初级结构的蓝宝石衬底图形,得到二级结构的蓝宝石衬底图形;
反复执行所述步骤S1和步骤S2,制作多种不规则蓝宝石图形。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石刻蚀方法,其特征在于,所述利用光刻技术和压印技术制作一次掩模图形,通过一次干法刻蚀蓝宝石,得到初级结构的蓝宝石衬底图形的步骤具体包括下述步骤:
首先对选取的蓝宝石衬底进行清洗;
对清洗后的蓝宝石衬底执行匀胶、光刻以及ICP刻蚀动作。
3.根据权利要求2所述的蓝宝石刻蚀方法,其特征在于,一次干法刻蚀过程中,蓝宝石刻蚀高度为0.1-1.5μm。
4.根据权利要求2所述的蓝宝石刻蚀方法,其特征在于,所述利用光刻技术和压印技术再制作一次掩模图形,再通过一次干法刻蚀得到的初级结构的蓝宝石衬底图形,得到二级结构的蓝宝石衬底图形的步骤具体包括下述步骤:
将一次刻蚀得到的初级结构的蓝宝石衬底图形,再次执行匀胶、光刻、显影动作;
利用干法刻蚀中的刻蚀气体,对初级结构的蓝宝石衬底图形进行刻蚀,得到二级结构的蓝宝石衬底图形。
5.根据权利要求4所述的蓝宝石刻蚀方法,其特征在于,所述干法刻蚀中的刻蚀气体包括BCl3、CHF3、He和Ar的任何一种或组合。
6.根据权利要求1所述的蓝宝石刻蚀方法,其特征在于,所述光刻的步骤通过压印技术实现,具体包括下述步骤:
对匀胶膜厚为0.4-1.5μm以内的产品压印,控制进行1.0-5.0μm周期图形的转移,再利用干法刻蚀制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造