[发明专利]一种高侧开关的输出级电路

权利要求书

1.一种高侧开关的输出级电路，所述高侧开关采用PMOS功率管，其特征在于，所述输出级电路包括功率管栅极驱动模块和输出负压钳位模块，

所述功率管栅极驱动模块包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一电流源和第二电阻，其中第二电阻为阻值范围为几百K欧的大电阻；

第三NMOS管的栅极作为所述输出级电路的输入端，其漏极连接第七PMOS管的漏极和所述输出负压钳位模块的输出端，其源极接地；第三NMOS管的电流能力大于第一PMOS管的电流能力；

第二NMOS管的栅极连接内部低压电源，其漏极连接第六PMOS管的栅极和漏极以及第七PMOS管的栅极，其源极通过第一电流源后接地；

第一NMOS管的栅极连接第一PMOS管的栅极以及第二PMOS管的栅极和漏极，其漏极连接第一PMOS管的漏极和所述PMOS功率管的栅极，其源极连接第七PMOS管的源极；

第一PMOS管和第二PMOS管的源极连接电源电压；

第二电阻接在所述PMOS功率管的栅极和电源电压之间；

所述功率管栅极驱动模块在第二PMOS管和第六PMOS管之间还包括多个栅漏短接的第三PMOS管，所述第三PMOS管的数目根据所述第一NMOS管的栅氧耐压确定；其中每个第三PMOS管的源极连接上一个第三PMOS管的栅极和漏极，第一个第三PMOS管的源极连接第二PMOS管的栅极和漏极，最后一个第三PMOS管的栅极和漏极连接第六PMOS管的源极；

所述输出负压钳位模块包括第一二极管、第二电流源、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管和第一电阻，

第一电阻的一端连接所述PMOS功率管的漏极并作为所述输出级电路的输出端，其另一端连接第八PMOS管的漏极和第五NMOS管的源极；所述PMOS功率管的源极连接电源电压；

第九PMOS管的栅极连接第十PMOS管的栅极、第十一PMOS管的栅极和漏极并通过第二电流源后接地，其源极连接第四NMOS管的栅极、第十PMOS管的源极和第十一PMOS管的源极以及所述内部低压电源，其漏极连接第八PMOS管的栅极和第五NMOS管的漏极；

第四NMOS管的源极连接第八PMOS管的源极，其漏极连接第一二极管的阴极；第一二极管的阳极作为所述输出负压钳位模块的输出端；

第六NMOS管的栅漏短接并连接第十PMOS管的漏极，其源极连接第七NMOS管的栅极和漏极以及第五NMOS管的栅极；第七NMOS管的源极接地。

2.根据权利要求1所述的高侧开关的输出级电路，其特征在于，所述第二电阻利用栅源短接的耗尽型MOS管实现。

3.根据权利要求1或2所述的高侧开关的输出级电路，其特征在于，所述第二PMOS管和第六PMOS管以及在第二PMOS管和第六PMOS管之间的多个第三PMOS管具有相同的尺寸，第一PMOS管和第七PMOS管具有相同的尺寸。

4.根据权利要求3所述的高侧开关的输出级电路，其特征在于，所述第一PMOS管等比例复制第二PMOS管的电流，第六PMOS管等比例复制第七PMOS管的电流。