[发明专利]晶圆的测试方法在审
申请号: | 201911363074.0 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111128779A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 吴苑 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 方法 | ||
1.一种晶圆的测试方法,使用测试探针机台针对晶圆上的芯片进行测试,其特征在于:测试程序包含主测试流程及子测试流程:
所述主测试流程,包含测试项目1~N等若干个一级分Bin测试项目,依据一级分bin测试项目对晶圆进行依次测试;
所述子测试流程,包含若干个个性测试项目,为一级分Bin测试项目下的进一步细分测试项目;
所述主测试流程对晶圆进行快速筛选,在测试项目1测试通过的情况下即进行下一个测试项目即测试项目2的测试,依次类推;
根据主测试流程的测试项目结果选择进入该级的子测试流程。
2.如权利要求1所述的晶圆的测试方法,其特征在于:所述的测试机台是通过探针卡上探针与晶圆上的测试接触压焊点接触,测试机台发送测试电信号通过探针及与探针接触的压焊点输入到晶圆上的晶粒并获得测试数据。
3.如权利要求1所述的晶圆的测试方法,其特征在于:所述主测试流程在得到一级分Bin测试结果后进入所述子测试流程再进行个性化测试项目的测试,即子测试流程由一级分Bin测试项目的测试结果触发。
4.如权利要求1所述的晶圆的测试方法,其特征在于:所述子测试流程中的个性测试项目根据芯片的的一级分Bin测试结果来进一步确定,或者是根据工艺要求、芯片性能定位的综合考虑来确定个性测试项目的测试内容。
5.如权利要求1所述的晶圆的测试方法,其特征在于:所述的子测试流程在测试完成后输出二级分Bin标号。
6.如权利要求3所述的晶圆的测试方法,其特征在于:所述的子测试流程在主测试流程测试失效时进入子测试流程,进行个性测试项目的测试,输出二级分Bin标号。
7.如权利要求3所述的晶圆的测试方法,其特征在于:所述的子测试流程还能选择性设置在主测试流程测试结果合格时进入子测试流程,进行个性测试项目的测试,进行二级分Bin,以对合格品做进一步的分级管理。
8.如权利要求1所述的晶圆的测试方法,其特征在于:所述的子测试流程不仅限于二级测试,根据需要能增加三级或者四级以上的子测试流程,包含更多更细致的个性测试项目。
9.如权利要求1所述的晶圆的测试方法,其特征在于:所述的子测试流程,能选择性地在主测试流程中的测试项目1~N中的任意一步、或者几步、或者每一步测试项目后进入,即子测试流程与主测试流程不要求完全对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造