[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法及CMOS图像传感器

说明书

本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处形成有氧空位；对所述多晶硅栅极进行P型离子注入；对所述多晶硅栅极进行氟离子注入以使氟离子占据所述氧空位，并去除所述掩膜层。进一步的，本发明还提供一种CMOS图像传感器，包括：衬底、栅氧化层以及多晶硅栅极，其中，所述多晶硅栅极中注入的氟离子占据所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处的氧空位。对所述多晶硅栅极进行氟离子注入可以使得所述氟离子占据所述氧空位并与所述多晶硅栅极的硅原子形成共价键，改善多晶硅栅极和所述栅氧化层交界处的晶格缺陷，从而改善CMOS图像传感器的随机噪声缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种CMOS图像传感器的制造方法及CMOS图像传感器。

背景技术

互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器因其制造工艺与信号处理芯片等制造工艺相兼容，易于集成片上系统，同时功耗相较于电荷耦合器件类传感器有较大优势，利用图像处理降噪算法可以提高信噪比，因此其在图像传感器应用领域占有优势地位。

但是现有的CMOS图像传感器存在随机噪声(RTS noise)缺陷，该随机噪声缺陷表现为CMOS图像传感器在曝光时画面上随机产生的噪点，影响画面质量，所以现需要一种新的CMOS图像传感器的制造方法来改善随机噪声缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种CMOS图像传感器的制造方法及CMOS图像传感器，以解决CMOS图像传感器存在随机噪声缺陷的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种CMOS图像传感器的制造方法，所述CMOS图像传感器具有像素区，所述CMOS图像传感器的制造方法包括：

提供一衬底，其中，所述像素区中所述衬底上形成有栅氧化层和位于所述栅氧化层上的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处形成有氧空位；

形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述多晶硅栅极和所述栅氧化层；

对所述多晶硅栅极进行P型离子注入；以及，

对所述多晶硅栅极进行氟离子注入以使所述氟离子占据所述氧空位，并去除所述掩膜层。

可选的，在所述CMOS图像传感器的制造方法中，在对所述多晶硅栅极进行氟离子注入以占据所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处的氧空位中，所述氟离子的注入剂量介于1E12atoms/cm²～1E13atoms/cm²；注入能量介于50kev～80kev。

可选的，在所述CMOS图像传感器的制造方法中，对所述多晶硅栅极进行P型离子注入中，所述P型离子为硼离子，所述硼离子的注入剂量介于1E15atoms/cm²～5E16atoms/cm²，注入能量介于5K eV至50K eV。

可选的，在所述CMOS图像传感器的制造方法中，所述掩膜层为光刻胶层或者氮化硅层。

可选的，在所述CMOS图像传感器的制造方法中，所述掩膜层的厚度介于

可选的，在所述CMOS图像传感器的制造方法中，通过化学气相沉积工艺形成所述栅氧化层。

可选的，在所述CMOS图像传感器的制造方法中，所述栅氧化层的厚度介于所述栅氧化层的材质为二氧化硅。

基于同一发明构思，本发明还提供一种CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器具有像素区，所述CMOS图像传感器包括：衬底、覆盖所述像素区中衬底的栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处形成有氧空位，其中，所述多晶硅栅极中注入有P型离子和氟离子，所述氟离子占据所述氧空位。