[发明专利]一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器

权利要求书

1.一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器，其特征在于，包括：

硅波导(1)，其用于传播入射光；

硅衬底(2)，其用于接收所述硅波导(1)传播的入射光；

轻掺杂硅区(3)，其设于所述硅衬底(2)中，所述轻掺杂硅区(3)由所述硅衬底(2)的表面掺杂扩散至硅衬底(2)的内部；

重掺杂硅区(4)，其设于所述轻掺杂硅区(3)中，所述重掺杂硅区(4)由轻掺杂硅区(3)的表面掺杂扩散至轻掺杂硅区(3)的内部；

锗吸收区(5)，其设于所述轻掺杂硅区(3)上，且所述锗吸收区(5)包括远离所述硅波导(1)的第一部分，所述第一部分在所述轻掺杂硅区(3)上的投影面为圆弧状；所述锗吸收区(5)包括靠近所述硅波导(1)的第二部分，所述第二部分在所述轻掺杂硅区(3)上的投影面为方形；所述硅波导(1)的中心线偏向所述第二部分；

外延硅区(6)，其环绕并覆盖于所述锗吸收区(5)上；

外延硅掺杂区(7)，其设于所述外延硅区(6)中，所述外延硅掺杂区(7)由外延硅区(6)的表面掺杂扩散至外延硅区(6)的底部；

第一电极(8)，其设于所述重掺杂硅区(4)上，且形状与所述重掺杂硅区(4)匹配；

第二电极(9)，其设于所述外延硅掺杂区(7)上；

同时，所述轻掺杂硅区(3)在所述硅衬底(2)上的投影全部位于所述锗吸收区(5)的正下方，且在俯视平面上来看，所述轻掺杂硅区(3)的面积大于所述锗吸收区(5)的面积。

2.如权利要求1所述的高带宽高响应度的锗硅光电探测器，其特征在于：所述锗吸收区(5)为圆台状或圆柱状。

3.如权利要求1所述的高带宽高响应度的锗硅光电探测器，其特征在于：所述第一电极(8)为与所述重掺杂硅区(4)匹配的U形结构，且所述第一电极(8)在所述硅衬底(2)上的投影面积小于所述重掺杂硅区(4)在所述硅衬底(2)上的投影的面积。

4.如权利要求3所述的高带宽高响应度的锗硅光电探测器，其特征在于：所述第一电极(8)外侧为方形，内侧具有与所述锗吸收区(5)的第一部分匹配的圆弧面。

5.如权利要求1所述的高带宽高响应度的锗硅光电探测器，其特征在于：所述重掺杂硅区(4)在所述轻掺杂硅区(3)上的投影面为U形结构，且所述锗吸收区(5)位于所述重掺杂硅区(4)的U形槽内。