[发明专利]一种高纯中空碳纳米洋葱的规模化制备方法在审
申请号: | 201911351750.2 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN111115617A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 张豆 | 申请(专利权)人: | 谢春艳 |
主分类号: | C01B32/18 | 分类号: | C01B32/18;C01B32/205 |
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地址: | 315000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 中空 纳米 洋葱 规模化 制备 方法 | ||
本发明公开了一种高纯中空碳纳米洋葱的规模化制备方法,以气态烷烃烯烃为碳源、钴盐为主催化剂、氧化镁为助催化剂进行化学气相沉积反应,冷却后通过酸处理纯化后得到具有中空球形结构的碳纳米葱碳。本发明原料易得、工艺简单、性能良好、成本较低,适于工业化生产,具有广阔的应用前景,制备的石墨化洋葱碳材料,将石墨化温度大大降低,适度的石墨化结构使其具有优异的电磁波吸收性能。
技术领域
本发明涉及纳米材料制备工艺技术领域,尤其涉及一种高纯中空碳纳米洋葱的规模化制备方法。
背景技术
碳纳米洋葱(多层富勒烯)于1980年被日本学者饭岛澄男采用高分辨透射电镜观察到,但由于当时富勒烯尚未被发现,碳纳米洋葱并未引起过多关注。直到1992年,乌加特采用电子束照射炭灰得到准球形碳纳米洋葱颗粒,碳纳米洋葱才逐渐成为研究热点。作为一种新型的零维碳纳米材料,其发现同富勒烯一样表明了碳纳米材料边缘的空档键可以消除,也即在纳米尺度上,碳能量最低的完美结构并不是二维平面的,而是三维球状的。当碳纳米洋葱内部有空腔时被称之为中空碳纳米洋葱,这将进一步减小碳纳米洋葱的密度并增加其比表面积。中空碳纳米洋葱独特的理化性质,使其在超级电容器、锂离子电池、传感、催化与吸波等应用领域中逐渐崭露头角。【Zhang C,Li J,Liu E,He C,Shi C,Du X,etal.Synthesis of hollow carbon nano-onions and their use for electrochemicalhydrogen storage.Carbon.2012;50:3513-21.】中采用化学气相沉积法制备中空碳纳米洋葱,【Klose M,Reinhold R,Pinkert K,Uhlemann M,Wolke F,Balach J,etal.Hierarchically nanostructured hollow carbon nanospheres for ultra-fast andlong-life energy storage.Carbon.2016;106:306-13.】分解金属有机框架制备中空碳纳米洋葱,【Luo S,Li J,Zhang X,Lin Q,Fang C.Preparation of monodispersed hollowcarbon spheres by direct pyrolysis of coal-tar pitch in the presence ofaluminum isopropoxide.Journal of Analytical and Applied Pyrolysis.2018;135:10-4.】采用热解法制备中空碳纳米洋葱,但是截至到目前为止尚未有大规模制备中空碳纳米洋葱的方法,且上述文献所制备的碳纳米洋葱均含有内嵌金属杂质,无法去除从而影响碳纳米洋葱的纯度。
因此,为克服上述碳纳米洋葱在实际应用中的不利因素,本发明通过易去除的氧化镁助催化剂为载体均匀分散钴盐,以免其在高温下通过奥式熟化作用团聚长大,最终制备出高纯纳米尺度的碳纳米洋葱。该方法简便易行、对设备要求低、成本低、能耗低,同时对环境与操作人员友好。
发明内容
本发明为解决目前的技术不足之处,提供了一种高纯中空碳洋葱的规模化制备方法,其可以大规模制备中空碳洋葱,其纯度高达99%,所制备的中空碳纳米洋葱具有良好的吸波隐身性能。
一种高纯中空碳纳米洋葱的规模化制备方法,其特征在于,以气态烷烃烯烃为碳源,在催化剂存在的条件下,于水平管式炉中进行化学气相沉积反应,冷却后通过酸洗得到中空碳纳米洋葱。
所述的碳源可以包括:甲烷、煤层气、沼泽气、乙烯、乙炔的一种或多种。
作为优选,所述的化学气相沉积反应,其具体过程为:首先将盛有催化剂的石英舟置于水平管式炉中部,在保护气氛围下,由室温升温至700℃;通入碳源气体反应60min,然后关闭碳源气体降温至室温。
所述的催化剂为0.5~1000g。
所述的保护气可以为氮气、氩气、氦气中的一种或多种。
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