[发明专利]一种高纯中空碳纳米洋葱的规模化制备方法

权利要求书

1.一种高纯中空碳纳米洋葱的规模化制备方法，其特征在于，以气态烷烃烯烃为碳源，在催化剂存在的条件下，于水平管式炉中进行化学气相沉积反应，冷却后通过酸洗得到中空碳纳米洋葱；

所述的碳源可以包括：甲烷、煤层气、沼泽气、乙烯、乙炔的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的化学气相沉积反应，其具体过程为：首先将盛有催化剂的石英舟置于水平管式炉中部，在保护气氛围下，由室温升温至700℃；通入碳源气体反应60min，然后关闭碳源气体降温至室温；

所述的催化剂为0.5～1000g；

所述的保护气可以为氮气、氩气、氦气中的一种或多种；

所述的保护气在升温和降温过程中流速控制在5～1000sccm；

所述的碳源气体在化学气相沉积反应过程中流速控制在50～2000sccm。

3.根据权利要求1或2所述的催化剂，其特征在于，钴盐作为助催化剂，氧化镁作为助催化剂；

所述的钴盐可以包括：醋酸钴，硫酸钴、硝酸钴、氯化钴的一种或多种；

所述的氧化镁前驱体可以为碱式碳酸镁。

4.根据权利要求3所述的催化剂，其特征在于，所述的钴盐与碱式碳酸镁原料比为3-30wt％：97-70wt％；优选3-10wt％：97-90wt％；最佳可以为5wt％：95wt％。

5.根据权利要求1所述的酸洗，其特征在于，采用0.5～6M酸磁力搅拌4～24h，其中的酸可以采用盐酸、硫酸、硝酸、乙酸中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的中空碳纳米葱碳，其特征在于，具体为纳米尺度中空石墨球，其直径为10-40nm，石墨层数约为10～30层。

7.根据权利要求1或6所述的中空碳纳米葱碳，其特征在于，中空碳纳米洋葱的石墨层并未完全闭合，而是与周围一个或多个中空碳纳米葱相联，形成宏观尺度的三维导电网格。

8.一种基于上述任一权利要求所述方法制备得到的中空碳纳米葱碳，其可用于吸波隐身领域，2mm厚的中空碳纳米葱碳薄膜即可覆盖13.5-16.9GHz电磁波段。