[发明专利]使用电荷转移装置的感测技术

说明书

本申请案涉及使用电荷转移装置的感测技术。描述用于使用电荷转移装置来感测存储器单元的装置及方法。在一些实例中，所述电荷转移装置可与差分晶体管对中的输入晶体管耦合，所述差分晶体管对可与感测组件耦合。所述差分晶体管对可经配置以在读取操作期间将所述感测组件与所述电荷转移装置隔离。为读取所述存储器单元，可将所述电荷转移装置的栅极充电到第一电压。随后，可通过将所述存储器单元放电到数字线上而将所述数字线偏置到第二电压。可使用所述电荷转移装置在所述数字线与所述输入晶体管的栅极之间转移电荷，使得所述感测组件可基于所述第一电压及所述第二电压而确定存储于所述存储器单元上的逻辑状态。

交叉参考

本专利申请案主张由拉德(Raad)等人2018年12月26日提出申请的标题为“使用电荷转移装置的感测技术(SENSING TECHNIQUES USING CHARGE TRANSFER DEVICE)”的美国专利申请案第16/232,303号的优先权，所述美国专利申请案受让于本受让人且以其全文引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及使用电荷转移装置的感测技术。

背景技术

以下内容一般来说涉及操作存储器装置且更具体来说涉及使用电荷转移装置的感测技术。

存储器装置广泛用于存储各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等)中的信息。通过对存储器装置的不同状态进行编程而存储信息。举例来说，二进制装置最通常存储两个状态中的一者，所述两个状态通常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储多于两个状态。为存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为存储信息，电子装置的组件可将所述状态写入或编程于存储器装置中。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间丢失其所存储状态，除非其由外部电源周期性地刷新。非易失性存储器(例如，FeRAM)可即使在不存在外部电源的情况下维持其所存储逻辑状态达延长的时间周期。

改进存储器装置一般来说可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、减少电力消耗或减少制造成本，以及其它度量。一些存储器单元可经配置以存储多个状态。还可期望改进存储器装置的感测组件的效率(例如，较少电力消耗、经改进感测准确性)。

发明内容

在一些实例中，一种装置可包含：存储器单元，其与数字线耦合；感测组件，其包括感测节点及参考节点，所述感测组件经配置以在读取操作期间确定存储于所述存储器单元上的逻辑状态；输入晶体管，其与所述感测组件的所述感测节点耦合；第一晶体管，其在第一节点处与所述输入晶体管的栅极耦合且经配置以在所述数字线与所述输入晶体管的所述栅极之间转移电荷；及第二晶体管，其在所述第一节点处与所述输入晶体管的所述栅极耦合且经配置以基于与所述第一晶体管相关联的阈值电压差而将所述第一晶体管的栅极偏置到一定电压。

在一些实例中，一种方法可包含：将第一晶体管以及输入晶体管的栅极预充电到第一预充电电压；至少部分地基于将所述第一晶体管以及所述输入晶体管的所述栅极预充电而将所述第一晶体管的栅极偏置到第一电压；至少部分地基于将所述第一晶体管的所述栅极偏置、至少部分地基于将存储器单元放电到数字线上而将所述数字线偏置到第二电压；至少部分地基于所述数字线的所述第二电压小于所述第一晶体管的所述栅极上的所述第一电压而使用所述第一晶体管在所述数字线与所述输入晶体管的所述栅极之间转移电荷；及至少部分地基于在所述数字线与所述输入晶体管的所述栅极之间转移所述电荷而确定存储于所述存储器单元上的逻辑状态。