[发明专利]使用电荷转移装置的感测技术

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

存储器单元，其与数字线耦合；

感测组件，其包括感测节点及参考节点，所述感测组件经配置以在读取操作期间确定存储于所述存储器单元上的逻辑状态；

输入晶体管，其与所述感测组件的所述感测节点耦合；

第一晶体管，其在第一节点处与所述输入晶体管的栅极耦合且经配置以在所述数字线与所述输入晶体管的所述栅极之间转移电荷；及

第二晶体管，其在所述第一节点处与所述输入晶体管的所述栅极耦合且经配置以基于与所述第一晶体管相关联的阈值电压差而将所述第一晶体管的栅极偏置到一定电压。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

均衡组件，其与所述感测组件的所述感测节点及所述感测组件的所述参考节点耦合且经配置以将共同电压提供到所述感测节点及所述参考节点。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述均衡组件包括：

调平晶体管，其将所述感测组件的所述感测节点与所述感测组件的所述参考节点耦合，其中所述调平晶体管经配置以在均衡信号被施加到所述调平晶体管的栅极时将所述感测节点及所述参考节点与所述共同电压耦合；及

偏置晶体管，其将所述感测组件的所述参考节点与电压源耦合，所述偏置晶体管的栅极与所述调平晶体管的所述栅极以及所述均衡信号耦合。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

第三晶体管，其与所述第一节点耦合且经配置以在所述读取操作期间被激活时将所述第一节点预充电到预充电电压。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中：

在所述读取操作的第一持续时间期间，所述第三晶体管经配置以将所述第一节点预充电到第一预充电电压，所述第一预充电电压将所述第一晶体管的所述栅极偏置到所述电压。

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中：

在所述读取操作的第二持续时间期间，所述第三晶体管经配置以在于所述数字线与所述输入晶体管的所述栅极之间转移所述电荷之前将所述第一节点预充电到第二预充电电压。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

写入组件，其与所述第一晶体管的第二节点耦合，所述第二节点与所述数字线耦合，其中所述写入组件经配置以将所述逻辑状态存储到所述存储器单元。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述写入组件包括：

启用晶体管，其与所述第二节点耦合，其中所述启用晶体管的栅极与写入信号耦合；及

吸入晶体管，其与所述启用晶体管耦合，其中所述吸入晶体管的栅极与所述感测组件的所述感测节点耦合。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

差分晶体管对，其经配置以在所述读取操作的至少一部分期间将所述感测组件与所述第一晶体管隔离，其中所述输入晶体管为所述差分晶体管对的一部分。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

第四晶体管，其与所述第一晶体管的第二节点以及电压源耦合，所述第四晶体管经配置以在所述读取操作的一部分期间将所述第二节点预充电，其中所述第一晶体管的所述栅极被偏置到所述电压。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

隔离晶体管，其与所述第一晶体管的第二节点以及所述数字线耦合且经配置以在所述读取操作期间被撤销激活时将所述第二节点与所述数字线隔离。