[发明专利]一种适用于配合物晶体实验研究的恒温培育装置

说明书

本发明提供一种适用于配合物晶体实验研究的恒温培育装置，包括培育箱体，所述培育箱体内设有恒温室，所述恒温室的底部两侧通过连接管分别连接有加热室和冷冻室，每根所述连接管上均设有抽液泵，所述恒温室的顶部周侧均匀设有若干培育室，每个所述培育室的侧壁上均设有供恒温液通过的空腔，每个所述空腔的两侧分别设有进液口和出液口，每个所述进液口均通过恒温管与所述恒温室连接，所述恒温室的一侧设有缓冲室，每个所述出液口均通过缓冲室分别与所述加热室、所述冷冻室连接。该装置解决了现有的恒温装置无法做到对每个结晶器进行分别加热，进而无法研究不同恒温条件下配合物晶体生长情况的问题。

技术领域

本发明涉及晶体培育的实验研究设备领域，具体涉及一种适用于配合物晶体实验研究的恒温培育装置。

背景技术

研究晶体特别是单晶体的生长是合成化学实验中的一个重要领域，通常采用的方法是结晶和重结晶。结晶的方法包括降温结晶和蒸发结晶，现在工业化生产的过程中还会采用溶剂置换法结晶，也就是在一定体积的良溶剂溶液中缓慢加入不良溶剂，并用不良溶剂进行置换，当温度适当降低时即可析出结晶。

但是在结晶过程中，可能由于温度随晶体生长量的变化不可控，或者良溶剂用不良溶剂置换后在反应装置内的溶剂比值变化不可控，而使得晶体析出的速度过快，导致所形成的晶体无法满足单晶衍射实验所要求的晶体大小。

另外，影响晶体生长的因素还包括反应液的流速及流动方向、反应液中混入的杂质、反应液的粘度等。因此，为了避免诸多可能影响到配合物晶体生长的因素，就需要对配合物晶体生长的反应条件进行适用性的实验筛查。

在实验过程中，由于外界温度在不同时间段时均存在一定的温差，因此目前对于配合物晶体的研究都会相应的增设恒温装置，但是，现有的恒温装置都是采用水热法对所有的结晶器进行同时加热，而无法做到对每个结晶器进行分别加热，进而无法研究不同恒温条件下配合物晶体生长情况。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种适用于配合物晶体实验研究的恒温培育装置，解决了现有的恒温装置无法做到对每个结晶器进行分别加热，进而无法研究不同恒温条件下配合物晶体生长情况的问题。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下。

一种适用于配合物晶体实验研究的恒温培育装置，包括培育箱体，所述培育箱体内设有恒温室，所述恒温室的底部两侧通过连接管分别连接有加热室和冷冻室，每根所述连接管上均设有抽液泵，所述恒温室的顶部周侧均匀设有若干培育室，每个所述培育室的侧壁上均设有供恒温液通过的空腔，每个所述空腔的两侧分别设有进液口和出液口，每个所述进液口均通过恒温管与所述恒温室连接，所述恒温室的一侧设有缓冲室，每个所述出液口均通过缓冲室分别与所述加热室、所述冷冻室连接。

进一步，所述恒温室包括混合室以及位于所述混合室下侧的螺旋混合管，所述螺旋混合管的底部两侧分别与所述加热室、所述冷冻室连接，所述螺旋混合管的顶部与所述混合室固定连接，所述混合室的侧壁通过恒温管分别与其对应的进液口连接。

进一步，所述恒温室的侧壁上设有温度传感器，所述培育箱体的侧壁上设有用于调节温度的第一控制器，所述第一控制器分别与所述温度传感器、2个所述抽液泵电连接。

更进一步，每个所述连接管靠近所述恒温室的一侧均设有第一控制阀，每个所述恒温管靠近所述进液口的一侧均设有第二控制阀，每个所述第一控制阀及每个所述第二控制阀均与所述第一控制器电连接。

更进一步，所述加热室的底部设有第一导热隔板，所述第一导热隔板的底部设有电加热圈，所述冷冻室的底部设有第二导热隔板，所述第二导热隔板的底部设有电冷冻管，所述第一控制器的一侧设有用于分别调节加热室温度与冷冻室温度的调温器，且与所述调温器电连接，所述调温器分别与所述电加热圈、所述电冷冻管电连接。