[发明专利]用于晶体硅组件的封装方法以及封装组件在审
申请号: | 201911331680.4 | 申请日: | 2019-12-21 |
公开(公告)号: | CN110867495A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 鲁伟文;郭秀峰;刘华波 | 申请(专利权)人: | 深圳市上古光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 深圳大域知识产权代理有限公司 44479 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝安区石岩*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶体 组件 封装 方法 以及 | ||
本发明涉及一种用于晶体硅组件的封装方法以及用于晶体硅组件的封装组件,涉及晶体硅组件技术领域,解决了常见晶体硅组件受到撞击容易发生损坏的问题,其技术方案要点是,在光伏底板和电池片组件之间形成第一塑胶基层;在电池片组件远离第一塑胶基层的一侧形成第二塑胶基层;在第二塑胶基层远离电池片组件的一侧形成密封层,达到降低晶体硅组件在受到撞击后的损坏率的目的。
技术领域
本发明涉及晶体硅组件技术领域,特别涉及一种用于晶体硅组件的封装方法以及封装组件。
背景技术
ETFE(乙烯-四氟乙烯共聚物)材料具有很好的耐候性,常用于非晶硅、CIGS等柔性组件封装的表面材料,随着技术发展,逐步引入到晶体硅的半柔性组件以及轻型组件的封装工艺中,用于光伏组件封装ETFE材料的厚度很薄,通常在25μm-50μm范围内,没有张力强度,只能起到一层耐候保护膜的作用,不能提供强度的需求,组件正面遭受撞击,或是组件被外力扭曲容易造成电池片的破裂,直接造成组件损坏失效,如何提供一种具有张力强度的密封材料成为亟待解决的问题。
发明内容
本发明的第一方面是提供一种用于晶体硅组件的封装方法。
本发明的第二方面是提供一种用于晶体硅组件的封装组件。
本发明的上述第一方面是通过以下技术方案得以实现的:一种用于晶体硅组件的封装方法,晶体硅组件包括电池片组件和光伏底板,包括:在光伏底板和电池片组件之间形成第一塑胶基层;在电池片组件远离第一塑胶基层的一侧形成第二塑胶基层;在第二塑胶基层远离电池片组件的一侧形成密封层。
通过采用上述技术方案,第一塑胶基层质地较软,而且能够在发生形变后复原,在电池片组件和光伏底板之间设置第一塑胶基层而能够对电池片组件和光伏底板起到缓冲的作用,在晶体硅组件设置有光伏底板的一侧受到撞击时,第一塑胶基层对电池片组件和光伏底板的缓冲作用能够降低电池片组件和光伏底板的损坏率,同样地,在电池片组件和密封层之间设置有第二塑胶基层,从而在晶体硅组件设置有密封层的一侧受到撞击时,同时能够对电池片组件起到缓冲和保护作用,而在晶体硅组件受到外力发生扭曲时,第一塑胶基层和第二塑胶基层发生弹性形变而避免电池片组件被扭曲损坏,有效降低了晶体硅组件的损坏率。
本发明的进一步设置,在光伏底板和电池片组件之间形成第一塑胶基层之后还包括:在第一塑胶基层的两侧形成第一粘结层,第一粘结层用于将电池片组件的一侧和光伏底板的一侧粘结于第一塑胶基层上。
通过采用上述技术方案,第一粘结层将电池片组件和光伏底板粘结于第一塑胶基层的两侧,避免电池片组件和光伏底板与第一塑胶基层出现分离,提高晶体硅组件的结构稳定性。
本发明的进一步设置,在电池片组件远离第一塑胶基层的一侧形成第二塑胶基层之后还包括:在第二塑胶基层的两侧形成第二粘结层,第二粘结层用于将电池片组件的另一侧与密封层的一侧粘结于第二塑胶基层上。
通过采用上述技术方案,第二粘结层将电池片组件和密封层粘结于第一塑胶基层的两侧,避免电池片组件和密封层与第二塑胶基层出现分离,提高晶体硅组件的结构稳定性。
本发明的进一步设置,用于晶体硅组件的封装方法还包括:在第一塑胶基层和光伏底板之间形成玻纤板层,玻纤板层的两侧设有第一粘结层。
通过采用上述技术方案,玻纤板具有隔热的作用,在第一塑胶基层和光伏底板之间设置玻纤板层而对第一塑胶基层和电池片组件起到保护作用,避免电池片组件受热损坏。
本发明的进一步设置,用于晶体硅组件的封装方法还包括:在第一塑胶基层和光伏底板之间形成铝板层,铝板层的两侧设有第一粘结层。
通过采用上述技术方案,铝板能够增强晶体硅组件的强度,降低电池片组件的损坏率,而且铝板的质量较轻,在第一塑胶基层和光伏底板之间设置铝板层而使得晶体硅组件便于搬运和转移。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的