[发明专利]基于干式显影和金属掺杂Sb2

权利要求书

1.一种基于干式显影和金属掺杂Sb₂Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）通过薄膜沉积系统在基片上沉积金属掺杂Sb₂Te光刻胶薄膜；

（2）利用曝光系统对所述光刻胶薄膜进行曝光，使得曝光区域发生晶化；

（3）通过反应离子刻蚀系统进行干法显影，得到最终的微纳结构；

其中，所述金属掺杂Sb₂Te光刻胶中，掺杂金属元素选自Cr、Ag、Ti、Al、Fe中的一种。

2.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb₂Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述薄膜沉积系统为磁控溅射镀膜机。

3.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb₂Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述金属掺杂Sb₂Te光刻胶薄膜的厚度为20 nm ~ 500 nm。

4.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb₂Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述金属的掺杂含量为1~20 at%。

5.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb₂Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，掺杂金属靶材通过直流溅射且功率为1~100 W，Sb₂Te靶材采用射频溅射且功率为1~150 W，溅射气压为0.1~4 Pa，样品盘转速为1~10 r/min，溅射时间为10 s~30 min。

6.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb₂Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述曝光系统为激光直写光刻装置、电子束直写装置或极紫外光刻系统，曝光能量为10² ~10⁸ mJ/cm²。

7.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb₂Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述基片包括石英玻璃、硅片、SiC和GaN。

8.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb₂Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀系统采用的显影气体为CF₄、CHF₃、SF₆、O₂、Ar或其中两种或三种的组合，各气体流量均为1~100 sccm，工作气压为1~200 mTorr，功率为1~200 W，显影时间为1~30min。