[发明专利]存储器装置与其操作方法

说明书

一种存储器装置与其操作方法，存储器装置包括存储单元阵列、第一参考单元、第二参考单元与控制单元。存储单元阵列具有多个存储单元。第一参考单元提供第一参考电流。第二参考单元提供第二参考电流，其中第一参考电流的电流值小于第二参考电流的电流值。控制单元耦接存储单元、第一参考单元与第二参考单元，于数据写入操作时，控制单元提供第一电流至一存储单元，并读取存储单元回应于第一电流产生的第二电流，且依据存储单元的数据写入状态，选择比对第二电流与第一参考电流，或是比对第二电流与第二参考电流，以确定数据写入状态的数据写入是否成功，有效地增加确认存储器的可靠度及精准度。

技术领域

本发明实施例关于一种存储器，特别是关于一种存储器装置与其操作方法。

背景技术

一般来说，在存储器的存储单元写入数据后，可以通过感测电路读取存储单元的电流，并将上述电流与一预设电流进行比对，以确认存储单元的写入数据是否成功。然而，当上述电流与预设电流所形成的感测窗较窄，容易造成误判的情况发生，而降低确认存储单元的可靠度。

为了改善上述感测窗较窄导致可靠度降低的情况，可以使用二晶体管二电阻(2T2R)的架构来储存单一位。如此，可以增加存储单元的电流与参考电流所形成的感测窗的裕度并改善存储单元的可靠度，但是上述设计会降低存储器的储存容量。因此，存储器的设计上仍有改善的空间。

发明内容

本发明实施例提供一种存储器装置与其操作方法，藉以有效地增加确认存储器的可靠度及精准度。

本发明实施例提供一种存储器装置，包括存储单元阵列、第一参考单元、第二参考单元与控制单元。存储单元阵列具有多个存储单元。第一参考单元提供第一参考电流。第二参考单元提供第二参考电流，其中第一参考电流的电流值小于第二参考电流的电流值。控制单元耦接存储单元、第一参考单元与第二参考单元，于数据写入操作时，控制单元提供第一电流至一存储单元，并读取存储单元回应于第一电流产生的第二电流，且依据存储单元的数据写入状态，选择比对第二电流与第一参考电流，或是比对第二电流与第二参考电流，以确定数据写入状态的数据写入是否成功。

本发明实施例提供一种存储器装置的操作方法，包括。提供存储单元阵列，其具有多个存储单元。提供第一参考单元，其提供第一参考电流。提供第二参考单元，其提供第二参考电流，其中第一参考电流的电流值小于第二参考电流的电流值。于数据写入操作时，提供第一电流至一存储单元，并读取存储单元回应于第一电流产生的第二电流。存储单元的数据写入状态，选择比对第二电流与第一参考电流，或是比对第二电流与第二参考电流，以确定数据写入状态的数据写入是否成功。

本发明实施例所揭露的存储器装置与其操作方法，可依据存储单元的数据写入状态，选择不同的参考电流以确定数据写入状态的数据写入是否成功。如此一来，可以有效地增加存储器的可靠度及精准度。

附图说明

图1为依据本发明一实施例的存储单元阵列的示意图。

图2为依据本发明一实施例的存储单元、第一参考单元与第二参考单元的示意图。

图3为依据本发明一实施例的存储单元的数据写入状态为低逻辑准位时的第二电流与第二参考电流的感测窗的示意图。

图4为依据本发明一实施例的存储单元的数据写入状态为高逻辑准位时的第二电流与第一参考电流的感测窗的示意图。

图5为依据本发明另一实施例的存储单元阵列的示意图。

图6为依据本发明一实施例的存储器装置的操作方法的流程图。

图7为依据本发明另一实施例的存储器装置的操作方法的流程图。

附图标号：

100、500：存储器装置

110：存储单元阵列