[发明专利]存储器装置与其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一存储单元阵列，具有多个存储单元；

一第一参考单元，提供一第一参考电流；

一第二参考单元，提供一第二参考电流，其中所述第一参考电流的电流值小于所述第二参考电流的电流值；以及

一控制单元，耦接所述存储单元、所述第一参考单元与所述第二参考单元，于一数据写入操作时，所述控制单元提供一第一电流至一存储单元，并读取所述存储单元回应于所述第一电流产生的一第二电流，且依据所述存储单元的一数据写入状态，选择比对所述第二电流与所述第一参考电流，或是比对所述第二电流与所述第二参考电流，以确定所述数据写入状态的一数据写入是否成功。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，当所述存储单元的所述数据写入状态为一低逻辑准位时，所述控制单元选择比对所述第二电流与所述第一参考电流，以确定所述数据写入状态的所述数据写入是否成功，当所述存储单元的所述数据写入状态为一高逻辑准位时，所述控制单元选择比对所述第二电流与所述第二参考电流，以确定所述数据写入状态的所述数据写入是否成功。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一参考单元与所述第二参考单元设置于所述存储单元阵列的侧边或周围。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一参考单元包括多个第一子参考单元，提供多个第一子参考电流，而所述第一参考单元以所述第一子参考电流的一中位数或是一平均值作为所述第一参考电流的电流值，以及所述第二参考单元包括多个第二子参考单元，提供多个第二子参考电流，而所述第二参考单元以所述第二子参考电流的一中位数或是一平均值作为所述第二参考电流的电流值。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述存储单元、所述第一参考单元与所述第二参考单元各自包括一电阻与一晶体管，且所述电阻与所述晶体管耦接。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，所述第一参考单元的所述电阻的尺寸小于所述存储单元与所述第二参考单元的所述电阻的尺寸。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述第二参考单元的所述晶体管的尺寸大于所述存储单元与所述第一参考单元的所述晶体管的尺寸。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，于一数据读取操作时，所述控制单元读取所述存储单元所对应的所述第二电流，并依据所述第二电流、所述第一参考电流与所述第二参考电流，判断所述存储单元的所述数据写入状态的一逻辑准位。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，所述控制单元依据所述第二电流与所述第一参考电流的一第一差值以及所述第二电流与所述第二参考电流的一第二差值，判断所述逻辑准位为一高逻辑准位或一低逻辑准位。

10.一种存储器装置的操作方法，其特征在于，包括：

提供一存储单元阵列，其具有多个存储单元；

提供一第一参考单元，其提供一第一参考电流；

提供一第二参考单元，其提供一第二参考电流，其中所述第一参考电流的电流值小于所述第二参考电流的电流值；

于一数据写入操作时，提供一第一电流至一存储单元，并读取所述存储单元回应于所述第一电流产生的一第二电流；以及

依据所述存储单元的一数据写入状态，选择比对所述第二电流与所述第一参考电流，或是比对所述第二电流与所述第二参考电流，以确定所述数据写入状态的一数据写入是否成功。