[发明专利]电磁操纵装置

权利要求书

1.电磁操纵装置（10），具有：在总体上基本上柱形的极管（34）、在径向上布置在所述极管（34）内部的电枢（32）和在径向上布置在所述极管（34）外部的电磁线圈（16），其中所述极管（34）具有第一轴向端部（48）和第二轴向端部（50），其特征在于，所述极管（34）构造为冲制的且通过变形而具有其形状的套筒（36），其中所述套筒（36）在所述第一轴向端部（48）的附近具有沿着周边方向延伸的穿孔（52）。

2.根据权利要求1所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述套筒（36）由能导磁的钢构造，和/或所述套筒（36）具有小于0.8毫米的材料厚度。

3.根据权利要求1或2所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述套筒（36）被辊轧或者被深冲。

4.根据权利要求1或2所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述套筒（36）被衔接在接合部（58）上和/或所述套筒（36）在所述第一轴向端部（48）上具有朝所述第一轴向端部（48）敞开的并且朝所述第一轴向端部（48）加宽的留空部（66）。

5.根据权利要求1或2所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述穿孔（52）沿着周边方向布置在至少一排中，和/或所述穿孔（52）的沿着周边方向的长度为在两个在一排中依次相继的穿孔（52）之间留下的接片（72）的长度的至少50%。

6.根据权利要求1或2所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，在轴向上最靠近所述第一轴向端部（48）的穿孔（52）在所述穿孔（52）的面向第一轴向端部（48）的边缘（74）上具有轴向向里渐缩的倒棱（76）。

7.根据权利要求1或2所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述套筒（36）在其用于导引电枢（32）的内周上至少部分地具有借助于PTFE来涂覆的玻璃织物膜（80）。

8.根据权利要求1或2所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述套筒（36）在其内周上和/或所述电枢（32）在其外周上至少部分地具有不能导磁的涂层。

9.根据权利要求1或2所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，设置了极芯（35），其中所述套筒（36）和/或所述电枢（32）与所述极芯（35）轴向地搭接。

10.根据权利要求9所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，设置了单独的极套筒（84），所述极套筒在径向上布置在所述极芯（35）的外部并且在轴向区段（86）上径向向外地包围所述极芯。

11.根据权利要求5所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，对于多排穿孔（52）来说相邻排的穿孔（52）沿着周边方向彼此错开地布置。

12.根据权利要求6所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述倒棱在所述倒棱尖端处具有小于0.3 mm的剩余壁厚。

13.根据权利要求7所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述套筒（36）在其用于导引电枢（32）的内周上完全地具有借助于PTFE来涂覆的玻璃织物膜（80）。

14.根据权利要求8所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述套筒（36）在其内周上和/或所述电枢（32）在其外周上完全地具有不能导磁的涂层。

15.根据权利要求14所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述不能导磁的涂层是镍层或镍-磷层。

16.根据权利要求10所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述套筒（36）延伸到所述轴向区段（86）内部并且在径向上布置在极芯（35）和极套筒（84）之间。

17.根据权利要求2所述的电磁操纵装置（10），其特征在于，所述套筒（36）由能导磁的非合金的、具有小于0.15质量百分比的碳含量的钢构造，和/或所述套筒（36）具有0.2至0.5毫米的材料厚度。