[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成栅极电介质层；

在所述栅极电介质层的底部部分上方形成金属栅极条带；

对所述金属栅极条带执行第一蚀刻工艺以移除所述金属栅极条带的一部分，其中，所述第一蚀刻工艺是各向异性地执行的；

在所述第一蚀刻工艺之后，对所述金属栅极条带执行第二蚀刻工艺以移除所述金属栅极条带的残留部分，其中，所述第二蚀刻工艺包括各向同性蚀刻工艺；以及

将电介质材料填充到由所述金属栅极条带的经蚀刻的所述一部分和经蚀刻的所述残留部分留下的凹槽中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺被执行，直到位于所述金属栅极条带下方的电介质虚设鳍被暴露为止。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺被执行，直到由所述金属栅极条带的经蚀刻的所述一部分生成的相应凹槽具有低于所述电介质虚设鳍的顶表面的底表面，并且所述残留部分包括低于所述顶表面的下部和高于所述顶表面的上部为止。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺是使用包括氟化钨的蚀刻气体执行的。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻气体还包括氯化钨。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺是利用等离子体执行的，并且所述第二蚀刻工艺包括没有等离子体的热蚀刻工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二蚀刻工艺中，所述栅极电介质层的、与所述金属栅极条带的所述残留部分处于相同水平的尖端部分被进一步蚀刻。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺是使用同一蚀刻掩模执行的。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在电介质虚设鳍上方并且与所述电介质虚设鳍接触地形成栅极堆叠，其中，所述栅极堆叠包括：

第一部分，位于所述电介质虚设鳍的第一侧上；

第二部分，位于所述电介质虚设鳍的第二侧上；

第三部分，与所述栅极堆叠重叠，其中，所述第三部分使所述第一部分和所述第二部分互连；

蚀刻所述第三部分以露出所述电介质虚设鳍的顶表面和侧壁，其中，在所述蚀刻之后，所述第三部分的残留部分被留下，并且所述残留部分使所述第一部分和所述第二部分互连；以及

蚀刻所述残留部分。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成金属栅极条带；

在所述金属栅极条带上方形成非晶层；

在所述非晶层上方形成经图案化的硬掩模；

使用所述经图案化的硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述非晶层，其中，所述金属栅极条带被露出；

蚀刻所述金属栅极条带以在所述金属栅极条带中形成凹槽，其中，所述凹槽具有低于下方的电介质虚设鳍的顶表面的底表面，并且所述下方的电介质虚设鳍的所述顶表面和相对侧壁被暴露于所述凹槽；

执行热蚀刻工艺以移除所述金属栅极条带的残留部分；以及

将电介质材料填充到所述凹槽中。