[发明专利]增强收集效率的光侦测装置

说明书

一种光侦测装置，包括一基板、由基板所支撑的一第一光敏区，以及由基板所支撑且相邻于第一光敏区的一第二光敏区。第一光敏区与第二光敏区各耦合于一第一掺杂部位与一第二掺杂区域。第一掺杂部位具有一第一导电类型，第二掺杂区域具有不同于第一导电类型的一第二导电类型，其中第一光敏区分离于第二光敏区，并且耦合于第一光敏区的第一掺杂部位电性连接至耦合于第二光敏区的第一掺杂部位。

相关申请案交互参照

本专利申请主张以下美国临时申请案的权益，申请号62/780,337、申请日2018年12月17日的临时申请案，以及申请号62/786,389、申请日2018年12月29日的临时申请案，其以参照的方式并入本文中。

技术领域

本公开内容实施例是有关光侦测装置及其制造方法。

背景技术

就高资料率的光通讯收发器而言，在接收器端需要高速的光侦测器。通常，为了提高光侦测器的速度，需要将有限电容的电阻-电容的延迟时间等效应纳入考量。

发明内容

根据本申请的一种态样，本申请提供了一种光侦测装置。光侦测装置包括一基板，至少由基板所支撑的一第一光敏区，以及由基板支撑并且相邻于第一光敏区的一第二光敏区。第一光敏区与第二光敏区各耦合于一第一掺杂部位以及一第二掺杂区域。第一掺杂部位具有一第一导电类型，第二掺杂区域具有不同于第一导电类型的一第二导电类型，其中第一光敏区与第二光敏区分离，而且耦合于第一光敏区的第一掺杂部位电性连接至耦合于第二光敏区的第一掺杂部位。

根据本申请的一种态样，本申请提供了一种光侦测装置。光侦测装置包括一基板、一第一光敏区以及一第二光敏区。第一光敏区由基板所支撑，第二光敏区由基板所支撑并且相邻于第一光敏区。第一光敏区与第二光敏区中的每一个具有一顶表面以及一底表面，顶表面面对远离基板的方向，且底表面与顶表面相对，其中第一光敏区与第二光敏区皆耦合于一第一掺杂部位以及一第二掺杂区域。第一掺杂部位具有一第一导电类型且靠近于顶表面，第二掺杂区域具有一第二导电类型且靠近于底表面，其中第一光敏区与第二光敏区分离。

根据本申请的一种态样，本申请提供了一种光侦测装置。光侦测装置包括一第一子像素、一隔离区域以及一第二子像素。第一子像素包括一第一光敏区、一第一掺杂部位以及一第二掺杂区域。第一光敏区具有一顶表面以及一底表面。第一掺杂部位具有一第一导电类型并暴露于第一光敏区的顶表面，第二掺杂区域具有一第二导电类型并耦合于第一光敏区，隔离区域围绕第一子像素。第二子像素相邻于第一子像素，并透过隔离区域与第一子像素分开。

根据本申请的一种态样，本申请提供了一种用于制造光侦测装置的方法。制造光侦测装置的方法方法包括提供一基板；在基板中形成一第二掺杂区域；形成多个光敏区；在每个光敏区中形成一第一掺杂部位；以及形成一布线层，电性连接至多个光敏区的第一掺杂部位。

附图说明

配合附图参考以下的实施方式，可以更容易地理解本申请的上述态样以及许多附带的优点，其中：

根据本公开内容的一些具体实施例，图1A绘示一光侦测装置的剖面图。

根据本公开内容的一些具体实施例，图1B绘示一光侦测装置的俯视图。

根据本公开内容的一些具体实施例，图1C示意用于制造光侦测装置的一方法的流程图。

根据本公开内容的一些具体实施例，图1D示意用于制造光侦测装置的布线层的一方法的流程图。

根据本公开内容的一些具体实施例，图1E到图1L示意在制造操作的中间阶段期间的一光侦测装置的剖面图。

根据本公开内容的一些具体实施例，图2A示意一光侦测装置的剖面图。

根据本公开内容的一些具体实施例，图2B示意一光侦测装置的俯视图。