[发明专利]半桥电路、电源装置以及半桥电路的驱动方法

说明书

本发明可以有效地降低半桥电路中的瞬态电流。在半桥电路(1)中，当第一晶体管元件(TTR1)导通时，初级绕组电流从电源(TV1)流向初级绕组(PW1)。之后，当第一晶体管元件(TTR1)截止时，(i)第一整流元件电流从次级绕组(SW1)流向第一整流元件(FR1)，或者，(ii)第二整流元件电流从第三级绕组(TW1)流向第二整流元件(SR1)。

技术领域

以下的公开涉及半桥电路。

背景技术

已知有在用于电源电路的半桥电路中，产生反向恢复电流(在本说明书中也称为瞬态电流)的情况。该瞬态电流通过是在整流电流流过MOSFET(Metal oxidesemiconductor field effect transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)等的开关元件时，通过施加阻断整流电流的电压而产生。由于该瞬态电流使电路中发生损耗，因此研究了各种对策方法。

专利文献1以及2中公开了一种以降低瞬态电流为一目的的电路。例如，在专利文件1中所公开的电路中，为了降低瞬态电流，设置有与开关元件并联的二极管和变压器(Transformer)。专利文献2中也公开有与专利文献1相同的电路。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2011-36075号公报

专利文献2：特开2013-198298号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而，如后述那样，对于用于降低半桥电路中的瞬态电流的装置仍存在改进的空间。本发明的一个方式的目的在于有效地降低半桥电路中的瞬态电流。

解决问题的方案

为了解决上述问题，本发明的一个方式的半桥电路具备连接至作为高压节点的第一端子与作为开关节点的第二端子的第一开关元件、以及连接至作为开关节点的第三端子与作为低压节点的第四端子的第二开关元件，所述半桥电路还包括：

变压器，其具有初级绕组、次级绕组以及第三级绕组；

第一整流元件，其经由所述次级绕组与所述第一开关元件并联；

第二整流元件，其经由所述第三级绕组与所述第二开关元件并联；

第一晶体管元件，其与所述初级绕组连接；以及

电源，其与所述初级绕组连接，

在使所述第一晶体管元件导通时，从所述电源流向所述初级绕组的电流即初级绕组电流流通，

在使所述第一晶体管元件截止时，

(i)从所述次级绕组流向所述第一整流元件的电流即第一整流元件电流流通，或者，

(ii)从所述第三级绕组流向所述第二整流元件的电流即第二整流元件电流流通。

另外，为了解决上述问题，本发明的一个方式的半桥电路的驱动方法用于驱动所述半桥电路，所述半桥电路具备连接至作为高压节点的第一端子与作为开关节点的第二端子的第一开关元件、以及连接至作为开关节点的第三端子与作为低压节点的第四端子的第二开关元件，

所述半桥电路包括：

变压器，其具有初级绕组、次级绕组以及第三级绕组；

第一整流元件，其经由所述次级绕组与所述第一开关元件并联；

第二整流元件，其经由所述第三级绕组与所述第二开关元件并联；

第一晶体管元件，其与所述初级绕组连接；以及

电源，其与所述初级绕组连接，