[发明专利]阵列基板及显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板的驱动电路层形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管，例如P型薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；基于该结构，通过使用有机导电高分子材料作为第一薄膜晶体管的有源层材料，解决了陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，增强了阵列基板的柔性，同时基于有机导电高分子材料的高迁移率，实现了第一薄膜晶体管的高迁移率，减小了显示器件大小，提高了开口率，降低了漏电流。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

以低温多晶硅作为有源层的薄膜晶体管在显示装置领域内所占的比重较大，受制于低温多晶硅的材料特性，使用低温多晶硅薄膜晶体管的阵列基板在有源层区内无法做到柔性。

即陈列基板的柔性受制于低温多晶硅的材料特性。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及显示装置，以缓解现有技术存在的陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板，其包括：

衬底；

驱动电路层，形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

其中，所述第一薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管的源极、漏极以及所述有源层形成于第一绝缘层的同一侧。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管的栅极形成于所述第一绝缘层的另一侧。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二薄膜晶体管的有源层包括铟和硒化铟叠层。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二薄膜晶体管的有源层设置于贯穿第二绝缘层的第一凹槽内。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二薄膜晶体管的栅极设置于贯穿第二绝缘层的第二凹槽内。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二薄膜晶体管的栅极和源极、以及所述第一薄膜晶体管的栅极同层设置。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板上还形成有像素电极；所述第二薄膜晶体管的漏极，和所述像素电极同层设置。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述有机导电高分子材料包括三苯胺或者三苯胺衍生物。

本发明实施例提供一种显示装置，其包括：包括上述实施例提供的阵列基板、以及发光单元。

本发明的有益效果为：本发明提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板的驱动电路层形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管，例如P型薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；基于该结构，通过使用有机导电高分子材料作为第一薄膜晶体管的有源层材料，解决了陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，增强了阵列基板的柔性，同时基于有机导电高分子材料的高迁移率，实现了第一薄膜晶体管的高迁移率，减小了显示器件大小，提高了开口率，降低了漏电流。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。

图2至图9为本发明实施例提供的阵列基板的制备示意图。

具体实施方式