[发明专利]应用于闪存存储装置的冗余方法及闪存存储装置

说明书

本申请涉及一种应用于闪存存储装置的冗余方法，闪存存储装置具有至少一个存储区域用于冗余运算的暂存区，所述冗余方法包括：在一缓存中，对存储于多个存储区域其中之一的第一组页面进行冗余运算，以产生冗余运算中间结果；将所述冗余运算中间结果由所述缓存存储至所述至少一个用于冗余计算的暂存区的存储区域；在所述缓存中，对存储于所述多个存储区域其中之一的第M+1组页面以及存储于所述至少一个用于冗余计算的暂存区的所述第一组页面的运算结果进行冗余运算，以产生冗余运算最终结果；将所述冗余运算最终结果由所述缓存中存储至所述第M+1组页面中对应的页面。本申请可以在兼顾数据恢复能力的情况下减少内存的使用，从而缩减实现冗余运算的成本。

技术领域

本发明涉及存储装置，尤指一种闪存存储装置闪存存储器(NAND Flash Memory)的冗余方法及闪存存储装置。

背景技术

独立硬盘冗余阵列(Redundant Array of Independent Disks，RAID)，舊稱廉价磁盘冗余阵列(Redundant Array of Inexpensive Disks)，簡稱磁盘阵列，是一种有冗余存储能力的磁盘阵列，从而可以进行数据恢复。在固态硬盘(Solid-state disk，SSD)、优盘(Pen-drive)、SD存储卡(Secure Digital Memory Card)等存储领域有广泛的使用。RAID的实现是将存储的数据经过运算产生冗余数据，然后将数据和冗余数据都保存起来。如果有数据发生错误，则将其他数据和冗余数据一起逆运算，从而得到需要的数据。这个过程需要大量的内存来缓存数据，极大地提高了实现成本。

现有技术是这样实现RAID的。数据线经过缓存，然后到RAID引擎(engine)进行运算后就被写入到NAND阵列，经过运算的冗余数据也会被写到NAND阵列。但是在NAND存储装置中，由于NAND的一些物理特性的存在，很容易发生相邻的多个页面(page)同时损坏，这样会超过冗余数据的纠错能力，从而无法进行数据恢复。因此一般会间隔多个page来做数据运算。

另一方面，NAND的编程(program)是必须按照页面顺序进行的，这时候就需要很大的静态随机存取存储器(SRAM)来缓存中间的page数据。以间隔4个page来做数据运算为例。首先将page 0数据写入NAND存储装置中，然后是依序写入page 1、page 2、page 3、page 4、page 5，但是page 0是和page 4进行运算,所以此时SRAM的page 0数据不能被释放，必须继续存储在SRAM中，只有等page 4被编程完毕后才可以把page 0释放掉。因此这样的方式会需要4个page的SRAM作为缓存。如果是多个通道并行进行运算，则需要的SRAM缓存是成倍数增加，如果需要间隔的page数目增加，相应的SRAM缓存也都跟着增加。如果间隔page的数目需要增加来做数据运算，相应的SRAM缓存也都跟着增加。也就是，在闪存存储装置的SRAM容量已固定的情形下，便失去支援间隔更多个page来做数据运算的能力。

发明内容

有鉴于此，如何减轻或消除上述相关领域的缺失，实为有待解决的问题。

本发明涉及一种应用于闪存存储装置的冗余方法，所述闪存存储装置具有多个存储区域，所述多个存储区域的其中至少一个存储区域用于冗余运算的暂存区，所述冗余方法包括下列步骤：在一缓存中，对存储于所述多个存储区域其中之一的第一组页面进行冗余运算，以产生冗余运算中间结果；将所述冗余运算中间结果由所述缓存存储至所述至少一个用于冗余计算的暂存区的存储区域；在所述缓存中，对存储于所述多个存储区域其中之一的第M+1组页面以及存储于所述至少一个用于冗余计算的暂存区的所述第一组页面的运算结果进行冗余运算，以产生冗余运算最终结果；将所述冗余运算最终结果由所述缓存中存储至所述第M+1组页面中对应的页面。