[发明专利]一种具有平面取向的氮化硼膜及其制备方法、包含其的氮化硼复合膜、热界面材料和应用

权利要求书

1.一种具有平面取向的氮化硼膜的制备方法，其特征在于，所述氮化硼膜由二维氮化硼纳米片组成；

所述制备方法包括：将二维氮化硼纳米片在载液表面铺展，在500-700 rpm的搅拌速率下搅拌载液，然后冷却，得到氮化硼膜；

所述载液选自去离子水；

以载液所铺展的面积计，所述二维氮化硼纳米片的加入量为2-5 mg/cm²；

所述搅拌的时间为18-24 h；

所述冷却为自然冷却，时间为0.5-2 min；

所述二维氮化硼纳米片的厚度为100-200 nm；

所述二维氮化硼纳米片的平面片层长度为2-5 μm；

所述氮化硼膜的厚度为2-3 μm。

2.根据权利要求1所述的具有平面取向的氮化硼膜的制备方法，其特征在于，以载液所铺展的面积计，所述二维氮化硼纳米片的加入量为2 mg/cm²。

3.根据权利要求1所述的具有平面取向的氮化硼膜的制备方法，其特征在于，所述搅拌速率为550 rpm。

4.根据权利要求1所述的具有平面取向的氮化硼膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：保持去离子水中氧气在饱和浓度的情况下，将二维氮化硼纳米片在去离子水表面铺展，在550 rpm的搅拌速率下搅拌去离子水18-24 h，停止搅拌，自然冷却0.5-2 min，得到所述氮化硼膜。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法制备得到的具有平面取向的氮化硼膜在导热填料中的应用。

6.一种氮化硼复合膜，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的制备方法制备得到的具有平面取向的氮化硼膜和其他聚合物膜；

其中，所述其他聚合物膜选自聚乙烯膜、聚氯乙烯膜或乙烯-醋酸乙烯共聚物膜中的任意一种或至少两种的组合。

7.根据权利要求6所述的氮化硼复合膜，其特征在于，所述其他聚合物膜为聚乙烯膜。

8.根据权利要求7所述的氮化硼复合膜，其特征在于，所述具有平面取向的氮化硼膜和聚乙烯膜通过静电作用连接。

9.根据权利要求6所述的氮化硼复合膜，其特征在于，所述氮化硼复合膜的厚度为0.0095-0.0120 mm。

10.根据权利要求6所述的氮化硼复合膜，其特征在于，以所述氮化硼复合膜的总质量100%计，氮化硼的含量为3-5%。

11.根据权利要求6-10任一项所述的氮化硼复合膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：将制备得到的具有平面取向的氮化硼膜与其他聚合物膜贴合，得到所述氮化硼复合膜。

12.一种热界面材料，其特征在于，所述热界面材料的组成原料包括至少一层权利要求6-10任一项所述的氮化硼复合膜。

13.根据权利要求12所述的热界面材料，其特征在于，所述热界面材料的组成原料包括至少两层权利要求6-10任一项所述的氮化硼复合膜。

14.根据权利要求12所述的热界面材料，其特征在于，所述热界面材料的厚度为0.0095-0.08 mm。

15.根据权利要求12所述的热界面材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

所述热界面材料的组成原料包括一层氮化硼复合膜，制备方法为：将具有平面取向的氮化硼膜与其他聚合物膜贴合，得到所述热界面材料。