[发明专利]一种聚酰亚胺、聚酰亚胺薄膜的制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201911220635.1 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN111019130A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 尹晓东 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10;G02F1/1337;C08J5/18;C08L79/08
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 李新干
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 聚酰亚胺 薄膜 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种聚酰亚胺,其特征在于,其原料包括:

第一单体,其具有大位阻基团;以及

第二单体,其具有氟基团。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺,其特征在于,所述第一单体为二胺单体,所述二胺单体包括9,9-双(4-氨基苯基)芴,其化学结构式如下:所述第二单体为二酐单体,所述二酐单体包括4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐,其化学结构式如下:

3.根据权利要求2所述的聚酰亚胺,其特征在于,其化学结构式如下所示:

其中n为大于1的整数。

4.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

向三口烧瓶中加入极性溶剂和具有大位阻基团的第一单体,搅拌均匀;

向所述三口烧瓶中加入具有氟基团的第二单体,形成混合溶液;

在氮气保护下,搅拌所述混合溶液,反应24-48小时,得到聚酰亚胺前驱体溶液,即聚酰胺酸;

提供一基板,在所述基板上涂覆所述聚酰胺酸,在真空条件或惰性气体下,对所述聚酰胺酸热亚胺化,热亚胺化的条件为80℃-300℃,阶段升温9-10小时,即得到聚酰亚胺薄膜。

5.根据权利要求4所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述第一单体为二胺单体,所述二胺单体包括9,9-双(4-氨基苯基)芴,其化学结构式如下:所述第二单体为二酐单体,所述二酐单体包括4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐,其化学结构式如下:

6.根据权利要求4所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜的透光率大于等于80%。

7.根据权利要求4所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述第一单体与所述第二单体的摩尔比范围为1:(1-1.5)。

8.一种显示装置,其特征在于,包括聚酰亚胺薄膜,其通过权利要求4-7任意一项所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法制备形成。

9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,定义有摄像区以及围绕所述摄像区的显示区,所述显示装置包括:

模组,所述模组对应于所述摄像区设有一摄像孔;

所述聚酰亚胺薄膜设置于所述模组上;

摄像头,其对应于所述摄像孔设置于所述模组远离所述聚酰亚胺薄膜的一侧。

10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,还包括:

阵列基板,其设置于所述聚酰亚胺薄膜远离所述模组的表面上;

发光层,其设置于所述阵列基板远离所述模组的表面上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911220635.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top