[发明专利]一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺

权利要求书

1.一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺，其特征在于，1.所述工艺包括以下步骤：

步骤一、以负载镍铜箔为基体，所述负载镍铜箔制备步骤包括覆镍和热处理，其中所述热处理操作具体为将得到的负载镍铜箔在865-875℃之间进行热处理，热处理时间为5-8min，自然冷却至常温；

步骤二、将碳源气化，以氩气和氢气混合气体为保护气体，在一定温度条件下沉积，沉积结束后以10K/s速率进行降温，待基底降温至200℃时，将沉积的石墨烯层取下；

步骤三、将取下的石墨烯材料去有机物和重金属；

步骤四、制备石墨烯-纳米无机物复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述步骤一中覆镍操作具体为：将铜箔依次经过乙醇和去离子水洗涤后，自然晾干，然后将铜箔置于质量分数为15％的硝酸镍的混合溶液中浸泡24h，捞起后自然晾干，然后将表面吸附硝酸镍的铜箔置于氢气氛围中，于温度为550-580℃保持25-30min，得到负载镍铜箔。

3.根据权利要求1所述的一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述步骤一中所得的负载镍铜箔包括质量分数为5-8％Ni和质量分数为92-95％Cu。

4.根据权利要求1所述的一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述步骤二中碳源为甲烷、丙烯或者乙醇中的一种，对应的沉积温度为1050-1100℃、650-700℃或者800-850℃。

5.根据权利要求1所述的一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述步骤二中碳源流量为8-15ml/min，氩气流量为90-110ml/min，氢气流量为15-20ml/min。

6.根据权利要求1所述的一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述步骤二中石墨烯层取下具体操作为将甲基丙烯酸甲酯加热至160-170℃，然后将甲基丙烯酸甲酯涂覆在基底上，涂覆时先将铜箔四周均匀涂覆，待甲基丙烯酸甲酯冷却硬化后，再涂覆剩余区域，涂覆过程注意从一侧往另一侧匀速移动，待甲基丙烯酸甲酯冷却硬化后，将整个甲基丙烯酸甲酯层揭开。

7.根据权利要求1所述的一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述步骤三中具体操作为：将带有石墨烯的甲基丙烯酸甲酯放入丙酮中，轻轻震荡溶液，溶解时间为5-8min，向混合溶液中滴加质量分数为5％的过氧化氢液体，轻轻震荡溶液2-3min，然后再向体系中滴加质量分数为10％的盐酸溶液，轻轻震荡3-4min，对混合溶液进行过滤、洗涤晾干后得到石墨烯薄膜。

8.根据权利要求1所述的一种用于高分子纳米复合材料制备的化学气相沉积工艺，其特征在于，所述步骤四中具体操作为：将氧化石墨烯粉末和二氧化钛混合物在250℃下，He气氛围中煅烧，得到石墨烯二氧化钛材料。