[发明专利]图像感测装置在审
申请号: | 201911212980.0 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN112447778A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 都英雄 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/30;H01L51/44 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 装置 | ||
1.一种图像感测装置,该图像感测装置包括:
基板层,该基板层被构造为包括光电转换元件;
栅格结构,所述栅格结构设置在所述基板层上以将基板上的空间划分为不同的感测区域;以及
滤色器层,所述滤色器层分别设置在相邻的所述栅格结构之间的所述光电转换元件上,
其中,每一个所述栅格结构包括:
空气层;
光导层,该光导层设置在所述空气层上;以及
覆盖膜,该覆盖膜被配置成覆盖所述空气层和所述光导层。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置,该图像感测装置还包括:
透镜层,该透镜层设置在所述栅格结构和所述滤色器层上。
3.根据权利要求2所述的图像感测装置,其中,所述光导层包括:
材料膜,该材料膜的折射率不同于所述滤色器层和所述透镜层的折射率。
4.根据权利要求3所述的图像感测装置,其中,所述光导层包括以下项中的至少一项:
硅氮氧化物膜SixOyNz,其中“x”、“y”和“z”均为自然数;或硅氮化物膜SixNy,其中“x”和“y”均为自然数。
5.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,每一个所述栅格结构还包括:
金属层,该金属层设置在所述空气层下方;以及
绝缘膜,该绝缘膜用于覆盖所述金属层。
6.根据权利要求5所述的图像感测装置,其中,所述绝缘膜被形成为延伸到所述滤色器层的下部。
7.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述覆盖膜包括:
第一覆盖膜,该第一覆盖膜用于覆盖所述空气层和所述光导层;以及
第二覆盖膜,该第二覆盖膜形成在所述第一覆盖膜上。
8.根据权利要求7所述的图像感测装置,其中,所述第一覆盖膜包括超低温氧化物ULTO膜。
9.根据权利要求1所述的图像感测装置,其中,所述覆盖膜被形成为延伸到所述滤色器层的下部。
10.一种图像感测装置,该图像感测装置包括:
基板层,在所述基板层中形成有光电转换元件的阵列;
栅格结构,所述栅格结构设置在所述基板层上以将基板上的空间划分为不同的感测区域;以及
滤色器层,所述滤色器层分别设置在相邻的所述栅格结构之间的所述光电转换元件上,
其中,每一个所述栅格结构包括在所述栅格结构的上部的光导层,并且其中,所述光导层被构造为:
使第一入射角范围的光束在所述光导层的顶表面和底表面内被反射,并且从所述光导层的侧壁朝向目标滤色器传播;并且
使第二入射角范围的光束通过所述光导层朝向所述目标滤色器偏转。
11.根据权利要求10所述的图像感测装置,该图像感测装置还包括:
透镜层,该透镜层设置在所述栅格结构和所述滤色器层上。
12.根据权利要求11所述的图像感测装置,其中,所述光导层包括:
材料膜,该材料膜的折射率不同于所述滤色器层和所述透镜层的折射率。
13.根据权利要求12所述的图像感测装置,其中,所述光导层包括以下项中的至少一项:
硅氮氧化物膜SixOyNz,其中“x”、“y”和“z”均为自然数;或硅氮化物膜SixNy,其中“x”和“y”均为自然数。
14.根据权利要求10所述的图像感测装置,其中,每一个所述栅格结构还包括:
空气层;
金属层,该金属层设置在所述空气层下方;以及
绝缘膜,该绝缘膜被形成为覆盖所述金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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