[发明专利]一种控制电路及无触点开关

说明书

本发明提供了一种控制电路及无触点开关，所述控制电路包括模拟开关芯片、控制元件和电压偏置电路，其中所述模拟开关芯片U1用以接收数字输入控制端输入的高电平或者低电平信号；所述控制元件接收所述模拟开关芯片U1的断开或者导通的状态信号以控制无触点开关的导通或关断状态；所述电压偏置电路用以使所述控制元件处于饱和导通状态，该控制电路实现了采用MOS管作开关元件时，在MOS管导通瞬间提供一个大脉冲电流，降低电路损耗，提高电路的稳定性。

技术领域

本发明涉及开关技术领域，尤其涉及一种控制电路及无触点开关。

背景技术

无触点开关，是一种由微控制器和电力电子器件组成的新型开关器件，依靠改变电路阻抗值，阶跃地改变负荷电流，从而完成电路的通断，由于无触点开关没有可运动的触头部件，所以导通或者关断时不会出现电弧或者火花，且动作迅速、使用寿命长、可靠性高。

随着无触点开关的广泛使用，传统无触点开关采用SCR(可控硅)作为开关元件，而SCR开关电路是电流控制电路，容易受噪声电流的影响且控制电路的能量损耗较大；使用MOS管作为开关元件时，MOS管输入阻抗大从而不易受噪声电流的影响，MOS管开关电路为电压控制电路且MOS管的导通压降很低从而控制电路的能量损耗较小，但是MOS管在导通的瞬间需要控制电路提供一个比较大的脉冲电流，但是传统的控制电路无法满足在开通的瞬间提供一个较大脉冲电流的条件。

发明内容

本发明提供的一种控制电路及无触点开关，解决了采用MOS管作为开关元件时，控制电路无法提供较大脉冲电流的问题，实现了采用MOS管作为开关元件时，在MOS管导通瞬间提供一个比较大脉冲电流，有效地降低了电路损耗，提高了电路的稳定性。

为达到上述目的，本发明的技术方案具体是这样实现的：

本发明提供一种控制电路，包括模拟开关芯片U1、控制元件和电压偏置电路，其中，通过所述模拟开关芯片U1的断开或者导通状态控制无触点开关的导通或关断状态；控制元件接收所述模拟开关芯片U1的信号以控制无触点开关的导通或关断状态；所述电压偏置电路用以使所述控制元件处于饱和导通状态。

进一步地，控制电路还包括限流电阻R2和限流电阻R3，用以限制流过所述控制元件的电流的大小。

进一步地，所述控制元件为第一三极管T1和第二三极管T2。

进一步地，所述第一三极管T1为PNP型三极管，所述第二三极管T2为NPN型三极管。

进一步地，所述电压偏置电路由第一稳压二极管D1、第一电阻R1和第二稳压二极管D2构成。

优选地，所述第一三极管T1的基极与第一电阻R1的第一端相连，同时所述第一三极管T1的基极与第一稳压二极管D1的阳极相连，所述第一三极管T1的发射极和第二电阻R2相连，所述第一三级管T1的集电极与模拟开关芯片U1的第三引脚相连；所述第二三极管T2的基极与电阻R1的第二端相连，同时所述第二三级管 T2的基极与第二稳压二极管D2的阴极相连，所述第二三极管T2的发射极与第三电阻R3相连，所述第二三极管T2的集电极与模拟开关芯片U1的第二引脚相连。

本发明另一方面提供一种无触点开关，包括所述的控制电路。

进一步地，所述电子开关电路为N-MOS场效应管开关电路。

进一步地，所述电子开关电路中，第一N-MOS管Q1的栅极连接所述模拟开关芯片U1的第三引脚，同时所述第一N-MOS管Q1的栅极连接所述第一三极管 T1的集电极，第一N-MOS管的漏极连接电源，第一N-MOS管Q1的源极与第二 N-MOS管Q2的源极相连；第二N-MOS管Q2的栅极与所述第一N-MOS管的栅极相连，所述第二N-MOS管Q2的源极与所述第一N-MOS管的源极相连，所述第二N-MOS管Q2的漏极连接负载。

有益技术效果：