[发明专利]SnSe2

说明书

本发明提供了一种SnSe₂/H‑TiO₂异质结光电探测器件，包括H‑TiO₂纳米管阵列层和覆盖于H‑TiO₂纳米管阵列层上的SnSe₂纳米层。还提供了上述SnSe₂/H‑TiO₂异质结光电探测器件制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备不定型TiO_x纳米管阵列；(2)将不定型TiO_x纳米管阵列进行退火处理，得到TiO₂纳米管阵列；(3)以硒粉与SnCl₄·5H₂O为原料，用化学气相沉积方法，在TiO₂纳米管阵列表面沉积SnSe₂纳米层，沉积SnSe₂纳米层时同时通入氢气，将TiO₂氢化为H‑TiO₂，即得到SnSe₂/H‑TiO₂异质结。本发明方法制备的SnSe₂/H‑TiO₂异质结光电器件材料具有较高的光电响应性能并且扩大了器件的探测范围，且该制备方法简单、成本低、反应条件容易控制。

技术领域

本发明涉及异质结光电探测器件的技术领域，具体涉及一种SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件，还涉及该SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法。

背景技术

一维纳米线(管)/二维异质结构阵列已被广泛研究，并在光电探测器，催化和气体传感器等各个领域取得了很大进展。由于一维结构的光捕获效应，一维纳米线(管)可以有效地将吸收的光子转换为电子-空穴对，而一维纳米线(管)/二维异质结构中的电子受体和转运体可以帮助电子-空穴对分离来提高光电器件的响应速率。

二氧化钛(TiO₂)纳米管是一种宽禁带半导体，在紫外(UV)光下，其光子能量大于禁带宽度，有很高的光活性。而且，它还具有高度有序的一维结构、大的表面积和可调管径、易于制造、低成本、体积大等优点。然而，TiO₂纳米管紫外探测器可探测的波长范围较窄，有必要对其做进一步改进。

发明内容

本发明第一目的在于提供一种SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件，解决现有TiO₂纳米管紫外探测器可探测的波长范围较窄的不足。

本发明第二目的在于提供上述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法。

本发明第一目的是通过以下技术方案来实现的：

一种SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件，包括H-TiO₂纳米管阵列层和覆盖于H-TiO₂纳米管阵列层上的SnSe₂纳米层。

本发明第二目的是通过以下技术方案来实现的：

一种上述SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器件制备方法，包括以下步骤：

(1)采用阳极氧化法制备不定型TiO_x纳米管阵列；

(2)将不定型TiO_x纳米管阵列进行退火处理，得到TiO₂纳米管阵列；