[发明专利]一种无缺陷石墨烯膜的制备方法

权利要求书

1.一种无缺陷石墨烯膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1，将石墨烯粉末分散于无水乙醇中搅拌均匀，得到石墨烯醇浊液；

步骤2，将石墨烯粉末加入至蒸馏水中超声分散20-30min，然后加入聚乙烯醇恒温超声20-40min，得到石墨烯分散液；

步骤3，将石墨烯醇浊液均匀涂敷在基板上，恒温烘干得到石墨烯底膜，然后在底膜表面涂覆石墨烯分散液，恒温烘干后得到单镀石墨烯膜；

步骤4，将单镀石墨烯膜翻转，并在表面涂覆石墨烯分散液，恒温烘干得到双镀石墨烯膜；

步骤5，将双镀石墨烯膜放入反应釜中恒温挤压反应2-5h，冷却后采用蒸馏水和无水乙醇冲洗，烘干得到无缺陷石墨烯膜。

2.根据权利要求1所述的无缺陷石墨烯膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的石墨烯粉末在无水乙醇中的浓度为10-40g/L，搅拌均匀的搅拌速度为1000-2000r/min。

3.根据权利要求1所述的无缺陷石墨烯膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2中的石墨烯在蒸馏水中的浓度为10-20g/L，超声分散的温度为20-30℃，超声频率为30-70kHz，所述聚乙烯醇的加入量是石墨烯加入量的10-14％，恒温超声的温度为70-80℃，超声频率为50-100kHz。

4.根据权利要求1所述的无缺陷石墨烯膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3中的石墨烯醇浊液的均匀涂覆采用纳米雾化喷涂沉降法，且雾化喷涂的喷涂量是0.2-0.5mL/cm²，石墨烯底膜的恒温烘干的温度90-100℃。

5.根据权利要求1所述的无缺陷石墨烯膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3中的石墨烯分散液的涂覆采用纳米喷雾法，喷雾量为0.3-0.6mL/cm²,单镀石墨烯膜的恒温烘干的温度为100-120℃。

6.根据权利要求1所述的无缺陷石墨烯膜的制备方法，其特征在于：所述步骤4中的石墨烯分散液采用纳米喷雾法，且喷雾量为0.05-0.15mL/cm²，恒温烘干的温度为130-150℃。

7.根据权利要求1所述的无缺陷石墨烯膜的制备方法，其特征在于：所述步骤5中的恒温挤压的压力为10-15MPa，温度为280-300℃；所述恒温挤压采用微波法加热。

8.根据权利要求1所述的无缺陷石墨烯膜的制备方法，其特征在于：所述步骤5中的烘干采用挤压烘干法，且压力为20-40MPa，温度为90-100℃。