[发明专利]微波基板与同轴连接器互联设计方法及互联设备

说明书

本发明适用于半导体技术领域，公开了一种微波基板与同轴连接器互联设计方法及互联设备，该方法包括：在初始基板结构的第一预设位置进行开槽处理得到第一基板结构，初始基板结构包括至少两层微波基板，第一基板结构在第一预设位置只保留顶层微波基板、第一微波基板以及顶层微波基板和第一微波基板之间的第一介质层，第一微波基板为与顶层微波基板相邻的微波基板，第一介质层中设置有过渡通孔；在第一基板结构的第一预设位置保留的第一微波基板上连接同轴连接器，使同轴连接器传输的微波信号通过过渡通孔从第一微波基板传输到顶层微波基板上安装的器件中。本发明可以有效改善传输特性，降低介质损耗，同时不影响多层基板电路局部和器件的安装。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种微波基板与同轴连接器互联设计方法及互联设备。

背景技术

当前，微波基板以其集成度高和便于工艺装配的特点，广受微波设计师的青睐。微波基板通过与高频同轴连接器互联，实现微波信号的对外输入输出。

目前，同轴连接器与微波基板的互联，都是通过同轴连接器上的射频绝缘子(即金属内导体)与微波基板顶层基板上的带线直接互联来实现。但是，由于产品复杂度和集成度不断增加，导致微波基板的层数越来越多，而且由于多层微波基板加工工艺、流程和成本原因，多层微波基板的组合往往采用不同材料和特性的微波基板进行混合压制，造成多层微波基板的每层微波基板的介电常数、厚度和特性都不一样，距微波参考地面距离增加，导致顶层基板微带线上的电磁场不连续性增强，整体介质损耗偏大。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种微波基板与同轴连接器互联设计方法，以解决现有技术实现的微波基板与同轴连接器互联设计方法阈值电压较低且电流密度较小的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种微波基板与同轴连接器互联设计方法，包括：

在初始基板结构的第一预设位置进行开槽处理得到第一基板结构，所述初始基板结构包括至少两层微波基板，相邻两层微波基板之间为介质层，所述第一基板结构在所述第一预设位置只保留顶层微波基板、第一微波基板以及所述顶层微波基板和所述第一微波基板之间的第一介质层，所述第一微波基板为与所述顶层微波基板相邻的微波基板，所述第一介质层中设置有过渡通孔；

在所述第一基板结构的所述第一预设位置保留的所述第一微波基板上连接同轴连接器，使所述同轴连接器传输的微波信号通过所述过渡通孔从所述第一微波基板传输到所述顶层微波基板上安装的器件中。

本发明实施例的第二方面提供了一种微波基板与同轴连接器互联设备，由第一方面所述的微波基板与同轴连接器互联设计方法设计得到。

本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本发明实施例首先在初始基板结构的第一预设位置进行开槽处理得到第一基板结构，第一基板结构在第一预设位置只保留顶层微波基板、第一微波基板以及顶层微波基板和第一微波基板之间的第一介质层，第一微波基板为与顶层微波基板相邻的微波基板，第一介质层中设置有过渡通孔，然后在第一基板结构的第一预设位置保留的第一微波基板上连接同轴连接器，使同轴连接器传输的微波信号通过过渡通孔从第一微波基板传输到顶层微波基板上安装的器件中；本发明实施例通过在多层基板的基础上通过开槽处理设计得到一个单层基板结构，使同轴连接器直接与单层基板结构连接，再通过过渡通孔过渡到顶层微波基板与顶层电路和器件连接，可以有效改善传输特性，降低介质损耗，同时不影响多层基板电路局部和器件的安装。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例提供的微波基板与同轴连接器互联设计方法的实现流程示意图；

图2是本发明一实施例提供的第三基板结构的各个视图的结构示意图；