[发明专利]一种超导转变边探测器的制备方法有效
| 申请号： | 201911186950.7 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111063788B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 高波;吕越;黄浩;游天桂;欧欣;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/02;G01T1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超导 转变 探测器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超导转变边探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
通过磁控溅射方法在衬底上制备铝（Al）薄膜；
对所述铝（Al）薄膜进行光刻和湿法刻蚀处理；获取探测器薄膜和电极区域；
对所述铝（Al）薄膜再次进行光刻处理，采用光刻胶覆盖所述电极区域和所述衬底上没有被所述探测器薄膜覆盖的区域；
采用多能量离子注入方法对所述探测器薄膜区域进行锰（Mn）离子注入；通过调整所述锰（Mn）离子的注入量能够调整所述探测器薄膜的超导转变温度，所述超导转变温度范围为1.2K-50mK；
去除所述光刻胶；获取待处理器件。
2.根据权利要求1所述的超导转变边探测器的制备方法，其特征在于，所述衬底为氮化硅（SiN）衬底。
3.根据权利要求1所述的超导转变边探测器的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅（Si）衬底。
4.根据权利要求1所述的超导转变边探测器的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
对所述待处理器件的第一面采用电阻蒸发及剥离工艺制备金（Au）吸收体；所述第一面对应所述衬底上制备所述铝（Al）薄膜的一面；
对所述待处理器件的第二面进行刻蚀处理；所述第二面对应所述衬底与所述探测器薄膜间隔的一面；获取所述超导转变边探测器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911186950.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种颗粒活性炭水力排出装置
- 下一篇：一种政务数据自动调用系统及方法
