[发明专利]一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法

权利要求书

1.一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、在硅晶片上进行刻孔；

步骤2、在刻孔的内壁上沉积绝缘层；

步骤3、在刻孔的内壁的绝缘层上沉积阻挡层；

步骤4、在刻孔的内壁的阻挡层上沉积种子层；

步骤5、在硅晶片上表面沉积介质层；

步骤6、在介质层上刻蚀RDL线槽；

步骤7、分别在RDL线槽和刻孔内电镀填充金属；

步骤8、减薄硅晶片。

2.如权利要求1所述的一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法，其特征在于：所述步骤1、在硅晶片上进行刻孔，采用激光刻蚀法或者深反粒子刻蚀法。

3.如权利要求1所述的一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法，其特征在于：所述绝缘层采用的材料为二氧化硅或氮化硅。

4.如权利要求1所述的一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法，其特征在于：所述阻挡层为是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有机聚合物。

5.如权利要求1所述的一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法，其特征在于：所述种子层为金属铜。

6.如权利要求1所述的一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法，其特征在于：所述步骤8、减薄硅晶片是对晶片进行CMP研磨。