[发明专利]荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置有效
申请号: | 201911175951.1 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN112939578B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 李乾;简帅;王艳刚 | 申请(专利权)人: | 深圳市中光工业技术研究院 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 唐双 |
地址: | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 陶瓷 及其 制备 方法 发光 装置 以及 投影 | ||
本申请涉及荧光陶瓷技术领域,具体公开了一种荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置,该荧光陶瓷至少包括:基质;分布于基质内的发光中心、第一散射单元以及第二散射单元;第一散射单元的折射率大于发光中心的折射率;第二散射单元的折射率小于发光中心的折射率。通过上述方式,本申请能够提高荧光陶瓷对荧光的散射性能,从而提高了光源系统中的光效利用率。
技术领域
本申请涉及荧光陶瓷领域,特别是涉及一种荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置。
背景技术
YAG荧光陶瓷有别于YAG的纯相陶瓷,通过在YAG中掺杂铈等镧系元素,使得微量的该元素取代部分钇的位置,从而使YAG荧光陶瓷获得发光性能,能够将入射光转换为波长更长的光。
本申请的发明人在长期的研发过程中,发现对于荧光陶瓷而言,如何提高其发光效率至关重要。荧光陶瓷中纯相陶瓷由于其自身结构原因,难以对激发光源有较高的利用率;在荧光陶瓷受激发时,其发光中心相对较少而导致其发光效率较差。
因此,亟需发明一种新型荧光陶瓷,来提升目前透明荧光陶瓷的发光效率。
发明内容
本申请提供一种荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置,能够提高荧光陶瓷对荧光的散射性能,从而提高了光源系统中的光效利用率。
一方面,本申请提供了一种荧光陶瓷,荧光陶瓷至少包括:基质;分布于基质内的发光中心、第一散射单元以及第二散射单元;第一散射单元的折射率大于发光中心的折射率;第二散射单元的折射率小于发光中心的折射率。
另一方面,本申请提供了一种荧光陶瓷的制备方法,制备方法包括:按照预定比例配制荧光陶瓷的基质材料、散射材料以及荧光粉颗粒,其中,散射材料至少包括造孔剂以及第一散射颗粒、第二散射颗粒;将基质材料以及散射材料在第一溶剂中混合球磨,得到第一球磨浆料;将荧光粉颗粒在第二溶剂中混合球磨,得到第二球磨浆料;分别对第一球磨浆料和第二球磨浆料进行干燥,干燥后进行研磨过筛得到第一粉体和第二粉体;混合第一粉体和第二粉体,对混合后的粉体进行压制,得到预成型件;将预成型件进行高温排胶处理,得到素坯;将素坯进行冷等静压处理;对冷等静压处理后的素坯进行高温烧结处理,抛光后,得到荧光陶瓷。
又一方面,本申请提供了一种发光装置,包括激发光源和前述的荧光陶瓷,激发光源为入射激光光源。
再一方面,本申请提供了一种投影装置,包括如前述的发光装置。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请在荧光陶瓷的基质中均匀分布了具有不同折射率的发光中心、第一散射单元以及第二散射单元,且第一散射单元的折射率大于发光中心的折射率、第二散射单元的折射率小于发光中心的折射率。由于粒子散射能力取决于粒子的线度和相对折射率,入射激光在各个相的界面处会发生散射,因此,可以强化荧光陶瓷对其内部的入射激光和荧光的折射和散射作用,使得激发光在陶瓷中的光程变长,进而减弱荧光在荧光陶瓷内部的横向传导,使得荧光最终从入射激光附近的小范围区域散射出去,即产生的荧光光斑较小,进而提高了荧光陶瓷对荧光的散射性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1为本申请荧光陶瓷的一实施例的结构示意图;
图2为本申请荧光陶瓷的制备方法一实施例的流程示意图;
图3为实施例2所制备的荧光陶瓷的显微组织照片。
具体实施方式
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