[发明专利]一种显示面板有效
申请号: | 201911166890.2 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN110752250B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 刘明星;赵晶晶;冯士振;李文星;李伟丽;甘帅燕 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
本申请提供了一种显示面板,定义有显示区和位于所述显示区周围的非显示区,所述显示面板包括:阴极搭接组件,位于所述显示面板的所述非显示区,所述阴极搭接组件包括依次层叠设置的有机平坦化层、密封层、阴极连接线和阴极引出线;其中,所述阴极引出线延伸至与所述显示区的所述阴极连接,所述阴极连接线用于接收外部电路信号并将其传递至所述阴极引出线,所述密封层用于阻隔所述有机平坦化层中的水氧。通过上述方式,本申请能够降低有机平坦化层中的水氧对阴极连接线的侵蚀。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板。
背景技术
显示面板一般定义有显示区和位于显示区周围的非显示区,显示面板中的阴极一般会从显示区延伸至非显示区,并与非显示区中的阴极搭接组件连接,外界驱动电路可以将电信号通过阴极搭接组件传递至阴极。
但是,阴极搭接组件中的电线容易受到周围有机物中存在的微量的水氧的侵蚀,进而可能会影响显示品质。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种显示面板,能够降低有机平坦化层中的水氧对阴极连接线的侵蚀。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种显示面板,定义有显示区和位于所述显示区周围的非显示区,所述显示面板包括:阴极搭接组件,位于所述显示面板的所述非显示区,所述阴极搭接组件包括依次层叠设置的有机平坦化层、密封层、阴极连接线和阴极引出线;其中,所述阴极引出线延伸至与所述显示区的所述阴极连接,所述阴极连接线用于接收外部电路信号并将其传递至所述阴极引出线,所述密封层用于阻隔所述有机平坦化层中的水氧。
其中,所述阴极搭接组件还包括:间隔设置的第一有机限位件和第二有机限位件,位于所述有机平坦化层上,且所述第一有机限位件相对所述第二有机限位件靠近所述显示面板的所述显示区,所述密封层和所述阴极连接线位于所述第一有机限位件和所述第二有机限位件之间的间隔区域内。
其中,所述第一有机限位件包括凸出于所述阴极连接线的凸部,且所述凸部的侧壁与所述阴极连接线所在平面的夹角大于等于90°且小于180°。
其中,在所述有机平坦化层至所述阴极连接线方向上,所述第一有机限位件的截面为正梯形。
其中,在所述有机平坦化层至所述阴极连接线方向上,所述第二有机限位件的截面为倒梯形。
其中,位于所述第一有机限位件和所述第二有机限位件之间的所述有机平坦化层面向所述阴极连接线一侧表面为连续的凹凸结构,所述密封层、所述阴极连接线覆盖所述凹凸结构,且为连续的凹凸状。
其中,所述有机平坦化层表面的所述凹凸结构的高度占整个所述有机平坦化层厚度的0.2-0.8。
其中,所述密封层由氧化硅、氮化硅、氧化铝、石墨烯中一层或者多层叠加形成。
其中,所述密封层的厚度为0.5-3微米。
其中,所述显示面板的所述显示区还包括阳极,所述阳极与所述阴极连接线的材质相同;和/或,所述阴极引出线与所述阴极材质相同。
本申请的有益效果是:本申请所提供的显示面板中包括位于非显示区的阴极搭接组件,阴极搭接组件包括依次层叠设置的有机平坦化层、密封层、阴极连接线和阴极引出线;其中,阴极引出线延伸至与显示区的阴极连接,阴极连接线用于接收外部电路信号并将其传递至阴极引出线,密封层用于阻隔有机平坦化层中的水氧。上述密封层的设置方式可以阻隔有机平坦化层中的水氧对阴极连接线的侵蚀,以保护阴极连接线,使得阴极引出线和阴极连接线之间可以实现有效搭接,提高显示面板的使用寿命;且上述密封层的设计方式工艺简单,易于实现,可以使得阴极引出线和阴极连接线实现整面搭接,降低阴极引出线和阴极连接线所占面积,有利于实现窄边框。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的