[发明专利]电容单元、集成电容和谐振单元

说明书

本申请实施例提供一种电容单元、集成电容和谐振单元，所述电容单元包括导电腔(100)，所述导电腔(100)设有上下相通的容纳空间(101)；导电芯(200)，所述导电芯(200)的第一部分(210)和所述导电芯(200)的第二部分(220)通过过孔相连，所述导电芯(200)的第一部分(210)位于所述导电腔(100)的上方或下方，所述导电芯(200)的第二部分(220)位于所述导电腔(100)的容纳空间(101)中；所述导电腔(100)和所述导电芯(200)通过氧化层或绝缘层隔离。本申请实施例能够减小外界对电容单元的影响，从而能够提高电容单元的稳定性。

技术领域

本申请涉及电路器件领域，尤其涉及一种电容单元、集成电容和谐振单元。

背景技术

电容是电路器件中的重要原件。硅基集成工艺标准设计(Process Design Kit，PDK)电容包括金属-氧化物-金属(Metal Oxide Metal，MOM)集成电容和金属-绝缘层-金属(Meta Insulation Metal，MIM)集成电容。现有电容包括多层金属层，每层金属层包括多个金属条，各层相邻的金属条之间形成横向结构的水平电容，上下相邻两个的层之间的金属条形成纵向结构的垂直电容，每一层的金属条结构一样。现有电容将多个金属条横向以及纵向均匀排列，金属条之间会相互耦合产生寄生效应，导致电容稳定性差。

发明内容

本申请实施例提供一种电容单元、集成电容和谐振单元，该电容单元具有自屏蔽结构，能够降低寄生效应，以使该电容单元具有较高的稳定性。

第一方面，提供一种电容单元，所述电容单元包括：导电腔，所述导电腔设有上下相通的容纳空间；导电芯，所述导电芯的第一部分和所述导电芯的第二部分通过过孔相连，所述导电芯的第一部分位于所述导电腔的上方或下方，所述导电芯的第二部分位于所述导电腔的容纳空间中；所述导电腔和所述导电芯通过氧化层或绝缘层隔离。

该方案中的电容单元，导电芯位于导电框的中空位置处，以使该电容单元在水平方向上可以形成自屏蔽结构可以减小外界对电容单元的电磁耦合影响，从而可以提高电容单元的稳定性，进一步地，该电容单元既可以是MIM电容单元也可以是MOM电容单元，灵活性高，具有较高的兼容性以及扩展性。

在第一方面可能的实现方式中，所述导电腔包括沿竖直方向延伸的多个第一导电件，所述多个第一导电件中相邻两个第一导电件通过过孔相连，所述多个第一导电件中的每个第一导电件设有上下相通的子容纳空间，所述导电腔的容纳空间包括所述多个第一导电件的多个子容纳空间；所述导电芯的第二部分包括与所述多个第一导电件一一对应的多个第二导电件，所述多个第二导电件中相邻两个第二导电件通过过孔相连，每个第二导电件位于对应的第一导电件的子容纳空间中。

该方案中的电容单元，可以灵活的设置电容单元中第一导电件和第二导电件的个数，以获取满足要求的电容单元，该电容单元的灵活性高，具有较好的兼容性以及扩展性。同时，该电容单元呈堆叠式结构可以满足先进工艺金属密度设计的要求。

在第一方面可能的实现方式中，每个第一导电件的上表面和对应的第二导电件的上表面位于同一平面。

在第一方面可能的实现方式中，每个第一导电件的下表面和对应的第二导电件的下表面位于同一平面。

该方案中的电容单元，第一导电件和第二导电件的高度相同，能够提高第一导电件和第二导电件的正对面积的比例，以使该电容单元具有较高的水平电容。

在第一方面可能的实现方式中，每个第一导电件的横截面呈四边框形结构且对应的第二导电件的横截面呈四边形结构；或每个第一导电件的横截面呈圆环形结构且对应的第二导电件的横截面呈圆形结构。

该方案中的电容单元，可以根据需要灵活的设置电容单元的形状，以获得满足要求的电容单元。