[发明专利]电容单元、集成电容和谐振单元

权利要求书

1.一种用于集成电容的电容单元，所述电容单元包括：

导电腔(100)，所述导电腔(100)设有上下相通的容纳空间(101)；

导电芯(200)，所述导电芯(200)的第一部分(210)和所述导电芯(200)的第二部分(220)通过过孔相连，所述导电芯(200)的第一部分(210)位于所述导电腔(100)的上方或下方，所述导电芯(200)的第二部分(220)位于所述导电腔(100)的容纳空间(101)中；

所述导电腔(100)和所述导电芯(200)通过氧化层或绝缘层隔离。

2.根据权利要求1所述的电容单元，其特征在于，所述导电腔(100)包括沿竖直方向延伸的多个第一导电件(110)，所述多个第一导电件(110)中相邻两个第一导电件(110)通过过孔相连，所述多个第一导电件(110)中的每个第一导电件(110)设有上下相通的子容纳空间，所述导电腔(100)的容纳空间(101)包括所述多个第一导电件(110)的多个子容纳空间；

所述导电芯(200)的第二部分(220)包括与所述多个第一导电件(110)一一对应的多个第二导电件(221)，所述多个第二导电件(221)中相邻两个第二导电件(221)通过过孔相连，每个第二导电件(221)位于对应的第一导电件(110)的子容纳空间中。

3.根据权利要求2所述的电容单元，其特征在于，每个第一导电件(110)的上表面和对应的第二导电件(221)的上表面位于同一平面。

4.根据权利要求2所述的电容单元，其特征在于，每个第一导电件(110)的下表面和对应的第二导电件(221)的下表面位于同一平面。

5.根据权利要求2所述的电容单元，其特征在于，每个第一导电件(110)的横截面呈四边框形结构且对应的第二导电件(221)的横截面呈四边形结构；或

每个第一导电件(110)的横截面呈圆环形结构且对应的第二导电件(221)的横截面呈圆形结构。

6.根据权利要求1至5所述的电容单元，其特征在于，所述电容单元的电容包括垂直电容和水平电容；

所述水平电容包括所述导电腔(100)和所述导电芯(200)的第二部分(220)在水平方向形成的电容；

所述垂直电容包括：所述导电芯(200)的第一部分(210)和所述导电芯(200)的第二部分(220)在竖直方向形成的电容，以及所述导电芯(200)的第一部分(210)和所述导电腔(100)在竖直方向形成的电容。

7.根据权利要求2至5中任一项所述的电容单元，其特征在于，所述电容单元的电容包括垂直电容和水平电容；

所述水平电容包括每个第一导电件(110)和对应的第二导电件(221)在水平方向上形成的电容；

所述垂直电容包括：

所述导电芯(200)的第一部分(210)和所述多个第一导电件(110)中与所述导电芯(200)的第一部分(210)相邻的第一导电件(110)在竖直方向上形成的电容，

所述导电芯(200)的第一部分(210)和所述多个第二导电件(221)中与所述导电芯(200)的第一部分(210)相邻的第二导电件(221)在竖直方向上形成的电容，

所述多个第一导电件(110)中相邻的两个第一导电件(110)在竖直方向上形成的电容，以及

所述多个第二导电件(221)中相邻的两个第二导电件(221)在竖直方向上形成的电容。

8.根据权利要求6或7所述的电容单元，其特征在于，所述水平电容的容值大于所述垂直电容的容值。

9.一种集成电容，其特征在于，所述集成电容包括多个如权利要求1至8中任一项所述的电容单元，其中，多个所述电容单元中相邻的两个电容单元的导电腔(100)相连，且所述相邻的两个电容单元的导电芯(200)相连。

10.一种谐振单元，其特征在于，所述谐振单元包括多个如权利要求9所述的集成电容以及耦合于多个所述集成电容的电感。