[发明专利]提升DRAM的错误检测与纠错的验证效率的方法、装置、计算机设备及存储介质

说明书

本发明涉及提升DRAM的错误检测与纠错的验证效率的方法、装置、计算机设备及存储介质；其中，方法，包括：获取主机下发的若干读命令，并配置注错参数bit_cnt和cmd_cnt；识别当前读命令对应的单位内存注错bit_cnt数值；进行对应的批量注错；执行读命令，将读命令完成数cmd_cnt计数加1；获取读命令结果，并对读命令结果进行ECC纠错；判断ECC纠错是否成功；若成功，则判断所有读命令是否全部完成；若完成，则判断失败命令总计数fail_cnt是否大于0；若大于0，输出测试失败；若不大于0，输出测试成功。本发明实现了软件全程控制测试，减少人为干预，提高了测试效率、及验证的可靠性和准确性。

技术领域

本发明涉及固态硬盘的错误检测与纠错验证技术领域，更具体地说是指提升DRAM的错误检测与纠错的验证效率的方法、装置、计算机设备及存储介质。

背景技术

ECC(Error Correcting Code，错误检测与纠错，一种数据保护方式)，ECC通过硬件模块对出现错误的数据进行自动检错与纠错；DRAM中存放的多为用户数据，因此保证数据完整性就尤为重要，需要保证ECC功能的可靠性。传统验证ECC功能的方法是对以内存空间写入全1数据，手动注错某一LBA中的某些bit(比特)，在通过下发读命令判断ECC功能在纠错能力范围内是否正常工作，此方法不仅测试效率低下，而且测试范围与压力较小，不能够充分验证ECC功能的可靠性与准确性。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供提升DRAM的错误检测与纠错的验证效率的方法、装置、计算机设备及存储介质。

为实现上述目的，本发明采用于下技术方案：

提升DRAM的错误检测与纠错的验证效率的方法，包括以下步骤：

获取主机下发的若干读命令，并配置注错参数bit_cnt和cmd_cnt；

识别当前读命令对应的单位内存注错bit_cnt数值；

根据bit_cnt数值，进行对应的批量注错；

根据注错执行读命令，将读命令完成数cmd_cnt计数加1；

获取读命令结果，并对读命令结果进行ECC纠错；

判断ECC纠错是否成功；

若纠错成功，则判断所有读命令是否全部完成；

若全部完成，则判断失败命令总计数fail_cnt是否大于0；

若大于0，则输出测试失败；

若不大于0，则输出测试成功。

其进一步技术方案为：所述“根据bit_cnt数值，进行对应的批量注错”步骤中，包括：若bit_cnt数值等于1，则进行批量注错1bit，若bit_cnt数值等于2，则进行批量注错2bit，若bit_cnt数值等于3，则进行批量注错3bit。

其进一步技术方案为：所述“判断ECC纠错是否成功”之后，还包括：若纠错失败，则将该条读命令标记失败，且失败命令总计数fail_cnt加1，并进入步骤“判断失败命令总计数fail_cnt是否大于0”。

其进一步技术方案为：所述“若纠错成功，则判断所有读命令是否全部完成”之后，还包括：若未全部完成，则返回步骤“获取主机下发的若干读命令，并配置注错参数bit_cnt和cmd_cnt”。

提升DRAM的错误检测与纠错的验证效率的装置，包括：获取配置单元，识别单元，注错单元，执行单元，获取纠错单元，第一判断单元，第二判断单元，第三判断单元，及输出单元；

所述获取配置单元，用于获取主机下发的若干读命令，并配置注错参数bit_cnt和cmd_cnt；