[发明专利]空穴传输材料、其制备方法及有机发光二极管器件有效
| 申请号： | 201911164117.2 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111018874B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 罗佳佳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C07D493/04 | 分类号： | C07D493/04;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空穴 传输 材料 制备 方法 有机 发光二极管 器件 | ||
1.一种空穴传输材料，其特征在于：所述空穴传输材料具有如下结构：
其中R选自以下取代基所组成的一族群：
以及
2.如权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于：所述空穴传输材料是
3.一种有机发光二极管器件，其特征在于：所述有机发光二极管器件从下至上依序包含：一透明导电层；一空穴注入层；一空穴传输层；一发光层；一电子传输层；一电子注入层以及一半透明电极；
其中所述空穴传输层包含如权利要求1所述的空穴传输材料。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管器件，其特征在于：所述透明导电层包含一基板及一全反射层。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管器件，其特征在于：所述发光层的厚度为15至20纳米；所述空穴传输层的厚度为40至50纳米；以及所述电子传输层的厚度为30至40纳米。
6.如权利要求3所述的有机发光二极管器件，其特征在于：所述有机发光二极管器件具有一最高电流效率为130至150cd/A。
7.一种空穴传输材料的制备方法，其特征在于；所述制备方法包含下列步骤：
(1)在一反应容器中置入一第一反应物及一第二反应物，其中所述第一反应物具有分子结构如下式(A)，所述第二反应物具有分子结构如下式(B)：
H-R......................(B)；
(2)将醋酸钯、三叔丁基膦四氟硼酸盐以及叔丁醇钠加入所述反应容器；以及
(3)在一惰性气体中加入除水甲苯，同时加热至120℃以上以进行反应产出一空穴传输材料，所述空穴传输材料具有如下结构式(I)：
其中X是F、Cl或Br；R选自以下取代基所组成的一族群：
以及
8.如权利要求7所述的空穴传输材料的制备方法，其特征在于：所述惰性气体是氩气。
9.如权利要求7所述的空穴传输材料的制备方法，其特征在于：所述X是Br，且所述第一反应物是
10.如权利要求7所述的空穴传输材料的制备方法，其特征在于：所述空穴传输材料是
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