[发明专利]基板处理装置和用于偏心检查的装置及方法有效
申请号: | 201911164061.0 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN111223796B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 权五烈;朴修永;李志玹;秋永浩 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 用于 偏心 检查 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
处理腔室,所述处理腔室在内部具有处理空间;
支撑单元,所述支撑单元被配置成在所述处理空间中支撑基板并使所述基板围绕旋转卡盘的支撑轴旋转;和
偏心检查设备,所述偏心检查设备被配置成检查所述支撑轴的偏心,
其中,所述偏心检查设备包括:
图像获取单元,所述图像获取单元被配置成获得在所述支撑单元上所支撑的所述基板的图像;和
偏心测量单元,所述偏心测量单元被配置成从所述基板的所述图像获得所述基板的边缘数据并基于所述边缘数据测量所述支撑轴的偏心量。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述偏心测量单元包括:
方程建模单元,所述方程建模单元被配置成:在所述支撑轴未偏心放置的状态下接收针对所述基板获得的第一图像,从所述第一图像获得所述基板的第一边缘数据,并且基于所述第一边缘数据对用于测量所述支撑轴的所述偏心量的估算方程进行建模,其中,所述基板被支撑在所述支撑单元上;和
偏心计算单元,所述偏心计算单元被配置成:在工艺过程中接收针对所述基板获得的第二图像,从所述第二图像获得所述基板的第二边缘数据,并且通过将所述第二边缘数据与所述估算方程相比较来测量所述支撑轴的所述偏心量,其中,所述基板被支撑在所述支撑单元上。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述偏心测量单元还包括:
偏心确定单元,所述偏心确定单元被配置成通过将所述支撑轴的所述偏心量与设定的参考值相比较来确定所述偏心;和
警告生成单元,所述警告生成单元被配置成在发生所述偏心时生成警告。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述方程建模单元包括:
感兴趣区域(ROI)设置单元,所述感兴趣区域(ROI)设置单元被配置成在所述第一图像中设置包括所述基板的边缘部的感兴趣区域(ROI);
第一边缘检测单元,所述第一边缘检测单元被配置成在所述第一图像的所述感兴趣区域(ROI)中检测所述基板的边缘以获得所述第一边缘数据;和
方程估算单元,所述方程估算单元被配置成基于在所述第一边缘数据中包括的至少三个点数据计算所述估算方程。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,所述感兴趣区域(ROI)包括在所述第一图像中的所述基板的左上边缘区域或右上边缘区域。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,所述方程估算单元包括:
点数据获取单元,所述点数据获取单元被配置成从所述第一边缘数据获得三个点数据;
二次方程估算单元,所述二次方程估算单元被配置成基于所述三个点数据估算二次方程;
方程验证单元,所述方程验证单元被配置成通过计算所述二次方程与所述第一边缘数据之间的误差来验证所述二次方程;和
估算方程确定单元,所述估算方程确定单元被配置成将在通过改变所述三个点数据所获得的二次方程之中具有最小误差的二次方程确定为所述估算方程。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,所述偏心计算单元包括:
第二边缘检测单元,所述第二边缘检测单元被配置成在所述第二图像的感兴趣区域(ROI)中检测所述基板的边缘;
边缘数据获取单元,所述边缘数据获取单元被配置成从在所述第二图像的所述感兴趣区域(ROI)中检测到的所述基板的所述边缘获得所述第二边缘数据;和
偏心量计算单元,所述偏心量计算单元被配置成基于所述第二边缘数据与所述估算方程之间的差值计算所述支撑轴的所述偏心量。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,还包括:
照明单元,所述照明单元被配置成向所述支撑单元上所支撑的所述基板供应光,
其中,所述照明单元包括多个透镜型灯具,所述多个透镜型灯具被配置成沿不同方向朝向所述基板的不同边缘区域供应所述光,并且
其中,在被所述透镜型灯具照射的所述基板的所述边缘区域之中的相邻区域间具有重叠区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造