[发明专利]发光器件在审
申请号: | 201911159624.7 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN112838104A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 甄常刮;顾辛艳 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁文惠 |
地址: | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
本发明提供了发光器件。该发光器件包括沿第一方向间隔设置的至少一个发光单元,各发光单元由发光基元和非发光区域组成,定义各发光基元的出光面的面积为A1,由于该发光器件还包括光扩散结构,光扩散结构包括至少一个扩散单元,各扩散单元一一对应地设置于发光单元的出光侧,各扩散单元具有远离出光侧的第一表面,定义第一表面的面积为A2,A2>A1,从而利用上述光扩散结构能够在不影响器件像素密度(ppi)的情况下,将器件现有的发光区域扩大,使相对集中的出射光得到一定程度的分散,降低了对人眼的刺激程度,起到了缓解视觉疲劳的效果;并且,通过设置上述光扩散结构,还能够使器件的出光效率得到提升,从而提高了器件的使用寿命。
技术领域
本发明涉及光学技术领域,具体而言,涉及一种发光器件。
背景技术
自发光显示如OLED以其高对比度、快速响应等特点广受关注,但烧屏事件频频发生,暴露出OLED器件寿命不高的本质,尽管业内已普遍采用顶发射的出光方式来提升显示面板中发光区域在整个面板中的占比,提升器件使用寿命,但随着像素密度(ppi=pixelper inch)的不断提升,受限于精密掩模板制程限制,邻近子像素间的间隔必须在20μm以上,因此子像素的面积只能进一步缩小,导致随着ppi上升发光区域面积占比不断下降,为了维持相同的屏幕亮度,只能让更小的像素发更多的光,这不仅有悖于寿命提升的初衷,局部区域的高亮度还会对人眼产生较大刺激,易产生视觉疲劳。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种发光器件,以解决现有技术中的发光器件在提升像素密度的同时对人眼刺激较大的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种发光器件,包括:基材层;像素隔离结构,设置于基材层的一侧表面上,像素隔离结构中形成多个相互隔离的子像素区域,像素隔离结构由多个隔离单元连接构成,各隔离单元一一对应地环绕子像素区域;至少一个发光单元,各发光单元由发光基元和非发光区域组成,各发光单元中的发光基元一一对应地设置于子像素区域中,各子像素区域中除发光基元之外的区域以及与该子像素区域对应的隔离单元构成非发光区域,定义各发光基元的出光面的面积为A1;光扩散结构,包括至少一个扩散单元,各扩散单元一一对应地设置于发光基元的出光侧,各扩散单元具有远离出光面的第一表面,定义第一表面的面积为A2,A2>A1。
进一步地,各扩散单元具有与第一表面相对的第二表面,第二表面靠近发光基元设置,定义第二表面的面积为A3,A3≥A1,且A3<A2,且第二表面在基材层上的投影位于第一表面在基材层上的投影中,优选地,在第二表面至第一表面的厚度方向上,各扩散单元的横截面面积逐渐增大。
进一步地,一一对应的各扩散单元与各发光单元组成至少一个光学单元组,各光学单元组中出光面与第二表面的形状相同,优选第二表面为椭圆形、圆形和多边形中的任一种,第二表面的宽度为2~100μm,第二表面的长度为2~400μm。
进一步地,一一对应的各扩散单元与各发光单元组成至少一个光学单元组,各光学单元组中出光面与第一表面的形状相同,优选第一表面为椭圆形、圆形和多边形中的任一种,第一表面的宽度为2~150μm,第一表面的长度为2~450μm。
进一步地,A2与A1的面积比≥1.2,优选≥1.5。
进一步地,各隔离单元环绕子像素区域的侧壁相对于基材层倾斜或垂直。
进一步地,光扩散结构由多个扩散单元和连接相邻各扩散单元的连接部组成,连接部设置于像素隔离结构及子像素区域远离基材层的一侧,各扩散单元设置于子像素区域内部或子像素区域远离基材层的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的