[发明专利]一种LED驱动电源及其控制器有效

专利信息
申请号: 201911158258.3 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN110831283B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 郑曰;廖伟明;胡小波 申请(专利权)人: 上海芯飞半导体技术有限公司
主分类号: H05B45/30 分类号: H05B45/30
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 林俭良;高瑞
地址: 200000 上海市浦东新区自*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 led 驱动 电源 及其 控制器
【说明书】:

发明公开了一种LED驱动电源及其控制器,该控制器包括功率开关管、及与LED灯珠的正端相连的电源端,还包括:与所述LED灯珠的负端相连的过压检测端;过压保护模块,用于根据所述电源端的电压与所述过压检测端的电压计算所述LED灯珠的端电压,而且,若判断所述端电压超过第一预设电压,则控制所述功率开关管关断,若判断所述端电压低于第二预设电压,则控制所述功率开关管开通,其中,所述第一预设电压大于所述第二预设电压。实施本发明的技术方案,能在整个开关周期实现LED灯珠上的电压检测,而且,电路结构简单,降低了LED驱动电源的成本和减小体积。

技术领域

本发明涉及LED照明领域,尤其涉及一种LED驱动电源及其控制器。

背景技术

在目前所使用的LED驱动电源结构中,非隔离降压型驱动结构使用最为广泛,因为对比其它的电路结构,非隔离降压型电路结构较为简单,所需的外围电路也较为简单,也造就了使用该型电路结构实现的LED驱动电源成本较低,并且可靠性高。

目前应用最为广泛的非隔离降压型恒流驱动的电路结构如图1所示,该电路结构采用辅助绕组105对输出电压进行检测,并且通过分压网络(由电阻106和电阻107组成)对辅助绕组105同名端的电压分压后输入到控制器103的ZCD脚,控制器103再根据该信号来判断输出电压是否达到过压保护电压。具体地,根据变压器的工作原理,辅助绕组105的同名端的电压与主绕组109的同名端的电压为比例关系,二者之间的比例为主绕组109和辅助绕组105的匝比的关系。结合图2所示的工作时序波形中,可以看到功率开关管(内置在控制器103中)驱动信号GD从高电平变成低电平时,变压器主绕组109开始退磁,在变压器退磁过程中,变压器主绕组109的两端的电压等于输出电压,根据变压器的工作原理,辅助绕组同名端的电压在变压器退磁过程中与变压器主绕组的同名端的电压为绕组匝数比的关系。由于变压器绕组的匝数比为固定值,在变压器退磁过程中,辅助绕组105的电压为输出电压乘以辅助绕组105和主绕组109的匝数比,所以控制器可以通过检测辅助105的电压来判断输出电压是否达到过压保护值。根据上述的工作原理,辅助绕组105只有在变压器退磁过程中才能反映输出电压,也就是说控制器103只有在变压器退磁过程中才能对输出电压进行检测,而除此之外,控制器103对输出电压一无所知。如果在变压器退磁过程之外的时间内输出电压发生过压,控制器103由于在此期间对输出电压一无所知,所以对发生过压的情况不会发生任何反应。而且,该LED驱动电源的电路结构较为复杂,变压器需要两个绕组,增加了变压器制作工艺的复杂度,并且辅助绕组的分压网络电路,这些都会最后增加电源的成本以及降低电路的可靠性。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述无法在退磁过程之外的时间进行过压检测、结构复杂的缺陷,提供一种LED驱动电源及其控制器。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种LED驱动电源的控制器,包括功率开关管、及与LED灯珠的正端相连的电源端,还包括:

与所述LED灯珠的负端相连的过压检测端;

过压保护模块,在整个开关周期检测根据所述电源端的电压与所述过压检测端的电压,并计算所述LED灯珠的端电压,而且,若判断所述端电压超过第一预设电压,则控制所述功率开关管关断,若判断所述端电压低于第二预设电压,则控制所述功率开关管开通,所述第一预设电压大于所述第二预设电压,其中,所述过压保护模块包括电阻分压网络,且所述电阻分压网络包括高压电阻。

优选地,所述过压保护模块包括:

减法电路,用于将所述电源端的电压与所述过压检测端的电压进行相减,以获取所述LED灯珠的端电压;

迟滞比较器,而且,所述迟滞比较器的同相输入端连接所述减法电路的输出端,所述迟滞比较器的反相输入端输入参考电压,所述迟滞比较器的输出端连接所述功率开关管的栅极。

优选地,所述减法电路包括:第一分压单元、第二分压单元、第一电压转电流单元、第二电压转电流单元和电流采样电阻,而且,

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯飞半导体技术有限公司,未经上海芯飞半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911158258.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top