[发明专利]多晶硅太阳能电池及制备方法以及制备其绒面结构的方法

说明书

本发明公开了一种多晶硅太阳能电池及制备方法以及制备其绒面结构的方法，所述制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法包括：a，将硅片放入含有金属银离子的溶液中，并在硅片表面形成多孔质层结构；b，将包括多孔质层结构的硅片放入HCL溶液，以形成AgCL保护层；c，将带有AgCL保护层的硅片放入第二腐蚀溶液，以获得多晶硅太阳能电池绒面结构。该方法可以降低多晶硅太阳能电池的绒丝比例，提高陷光效果和电池转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，以及制备多晶硅太阳能电池的方法和多晶硅太阳能电池。

背景技术

光伏产业在新能源发展规划中占有重要地位，目前多晶硅太阳能电池已经成为太阳能电池市场主流。硅片表面绒面的质量对太阳能电池转换效率有重要影响，多晶硅表面制绒技术越来越受到世界各国的重视。

但是，对于多晶硅片，由于原材料本身杂质较多，在铸锭时即存在一些缺陷，因此，在采用黑硅制绒工艺制备绒面结构时，会存在一些不参与光电转换的复合中心，增加了多晶硅太阳能电池的绒丝比例，降低了绒面陷光效果和电池转化效率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，该方法可以降低多晶硅太阳能电池的绒丝比例，提高陷光效果和电池转换效率。

本发明的目的之二在于提出一种制备多晶硅太阳能电池的方法。

本发明的目的之三在于提出一种多晶硅太阳能电池。

为了解决上述问题，本发明第一方面实施例的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，包括：a，将硅片放入含有金属银离子的溶液中，并在硅片表面形成多孔质层结构； b，将包括多孔质层结构的硅片放入HCL溶液，以形成AgCL保护层；c，将带有AgCL保护层的硅片放入第二腐蚀溶液，以获得多晶硅太阳能电池绒面结构。

根据本发明实施例的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，通过采用含有金属银离子的溶液对硅片进行挖孔处理，并将形成多孔质层结构的硅片放入HCL溶液，HCL与银离子发生反应，在多孔质层结构中形成AgCL保护层，AgCL保护层不溶于第二腐蚀溶液，从而采用第二腐蚀溶液对多孔质层结构进行修饰以形成绒面结构时，通过AgCL保护层的保护，可以有效避免多孔质层结构晶界和沟壑区域腐蚀深度的增加，即避免缺陷或复合中心的增加，从而可以降低绒丝比例，提高陷光效果和电池转换效率。

在一些实施例中，所述步骤a包括：将硅片放入含有氧化剂以及金属银离子的氢氟酸溶液中，以在所述硅片表面形成所述多孔质层结构。

在一些实施例中，所述步骤a包括：将所述硅片放入含有金属银离子的溶液中浸泡，以在所述硅片表面涂覆金属银纳米颗粒；采用第一腐蚀溶液腐蚀硅片表面，以在所述硅片表面形成所述多孔质层结构，其中，所述第一腐蚀溶液为氢氟酸和氧化剂的混合溶液。

在一些实施例中，采用AgNO₃、H₂O₂和HF按照预设质量百分比形成所述含有氧化剂和金属银离子的氢氟酸溶液，其中，所述AgNO₃的质量百分比的取值范围为2.0％-7.5％；所述H₂O₂的质量百分比的取值范围为1.0％-5.0％；所述HF的质量百分比的取值范围为15％-25％。

在一些实施例中，采用AgNO₃和HF按照预设质量百分比形成所述含有金属银离子的溶液，其中，所述AgNO₃的质量百分比的取值范围为3％-8％，所述HF的质量百分比取值范围为0.1％-0.3％；采用H₂O₂和HF按照预设质量百分比形成所述第一腐蚀溶液，其中，所述H₂O₂的质量百分比的取值范围为0.8％-4.0％，所述HF的质量百分比的取值范围为 10％-20％。