[发明专利]错层式金属位线走线的磁性随机存储器存储阵列

权利要求书

1.一种错层式金属位线走线的磁性随机存储器存储阵列，所述磁性随机存储器阵列内的每个基本单元包括，开关晶体管，磁性隧道结，字线连接，源极线连接和位线连接，在存储阵列中每一列的磁性隧道结的一端连接同一根位线，其特征在于，

存储阵列中任意相邻两根位线的金属层，其中一根位线采用较低层金属层走线时，另一根则利用金属层和过孔连接方式实现高层金属层走线，任意相邻两根位线的金属层走线由不同金属层所形成。

2.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储阵列，其特征在于，所述相邻两根位线的金属层走线，当其中一根位线采用第n层金属层走线时，另一根位线采用第n-k层或者第n+k层金属层走线，其中的k大于等于1。

3.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储阵列，其特征在于，所述较低层金属走线可以选用磁性隧道结上的任意一层。

4.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储阵列，其特征在于，所述任意相邻两根的位线平行布置，并且在存储器阵列内保持长度相同。

5.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储阵列，其特征在于，所述存储器阵列中所有位线的方向保持一致，并且方向不受开关晶体管的方向限制。

6.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储阵列，其特征在于，所述相邻两根位线的错层走线可以通过错开一层来实现，也可以通过错开多层金属层来实现。

7.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储阵列，其特征在于，当所述磁性隧道结的制造区在第n层金属层时，相邻两根位线的金属层走线，当奇数根位线采用第n+1层金属层走线时，偶数根位线采用第n+m层金属层走线，其中n大于等于2，m大于等于2。

8.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储阵列，其特征在于，当所述磁性隧道结的制造区在第n层金属层时，相邻两根位线的金属层走线，当偶数根位线采用第n+1层金属层走线时，奇数根位线采用第n+m层金属层走线，其中n大于等于2，m大于等于2。

9.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储阵列，其特征在于，存储器阵列内包含至少两组磁性随机存储器基本单元，每个磁性随机存储器基本单元包括至少一个开关晶体管和至少一个磁性隧道结。