[发明专利]一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法在审
| 申请号： | 201911156055.0 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110867580A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;黄小丽;岳波;王俊安;李延俊;刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 四川新锂想能源科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M4/505 | 分类号： | H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525;C30B9/12;C30B29/22 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 胡晓丽 |
| 地址： | 629000 四川省遂*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 镍钴锰酸锂单晶 正极 材料 方法 | ||
1.一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A，将三元正极材料前驱体粉末、碳酸锂粉末和助熔剂按比例均匀混合，获得混合粉料；
步骤B，将混合粉料在910℃～970℃温度条件下进行一次煅烧，获得一次煅烧成品；
步骤C，将一次粉料在780℃～880℃温度条件下进行二次煅烧，获得镍钴锰酸锂正极材料；
所述三元正极材料前驱体为Ni0.5Co0.2Mn0.3(OH)2，所述助熔剂采用含金属锶的氢氧化物、氧化物或盐。
2.根据权利要求1所述的一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法，其特征在于，所述步骤B中，一次煅烧过程中：以2℃/min～10℃/min速率升温，在910℃～970℃温度条件下煅烧10h～16h。
3.根据权利要求2所述的一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法，其特征在于，在氧浓度在20％～50％的气氛下进行一次煅烧。
4.根据权利要求1或2所述的一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法，其特征在于，所述步骤C中，二次煅烧过程中：以2℃/min～10℃/min速率升温，在780℃～880℃温度条件下煅烧8h～14h。
5.根据权利要求4所述的一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法，其特征在于，在空气气氛下进行二次煅烧。
6.根据权利要求1所述的一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法，其特征在于，所述碳酸锂和三元正极材料前驱体的摩尔质量比为1.06～1.25，助熔剂的质量是三元正极材料前驱体和碳酸锂总质量的0.1wt％～2wt％。
7.根据权利要求1所述的一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法，其特征在于，所述步骤A中，三元正极材料前驱体粉末中颗粒的粒径分布为D50＝3um～5um。
8.根据权利要求7所述的一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法，其特征在于，所述步骤A中，采用高速混合机进行混合，转速为200rpm～900rpm，混合时间为15min～60min。
9.根据权利要求1所述的一种掺锶制备镍钴锰酸锂单晶正极材料的方法，其特征在于，所述助溶剂采用氢氧化锶、碳酸锶、钛酸锶、氧化锶、八水氢氧化锶。
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