[发明专利]有机发光二极管显示器及其显示方法有效

专利信息
申请号: 201911154292.3 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN110827764B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 杨波 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3258 分类号: G09G3/3258;G09G3/3266;G09G3/3291
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨艇要
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示器 及其 显示 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器包括有机发光二极管显示面板、电压跟随器以及第四开关,所述有机发光二极管显示面板包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素,

每个所述像素包括至少三个子像素,每个所述子像素包括:

发光元件,所述发光元件的一端连接第二节点,另一端连接第一公共电压端;

驱动晶体管,所述驱动晶体管的控制端连接第一节点,第一端连接第二公共电压端,第二端连接所述第二节点,所述驱动晶体管具有一阈值电压;

第一开关,所述第一开关的控制端连接所述扫描线,第一端连接所述数据线,第二端连接所述第一节点;以及

电容器,所述电容器连接于所述第一节点和所述第二节点之间,所述电容器用于在获取阈值电压阶段存储所述驱动晶体管的所述阈值电压;

所述电压跟随器的输出端电连接至少一所述子像素的所述第二节点,所述电压跟随器用于在所述电容器获取所述驱动晶体管的所述阈值电压后的预设时间段保持所述第二节点的电压,所述电压跟随器的输入端电连接预设电压输入端;

所述第四开关的控制端连接第三控制信号线,第一端连接所述预设电压输入端,第二端连接所述电压跟随器的输入端,用于在所述获取阈值电压阶段导通且在数据电压写入阶段截止;

其中,所述预设电压输入端在所述数据电压写入阶段处于高阻态。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述电压跟随器包括第一运算放大器和第二运算放大器,所述第一运算放大器的正极输入端连接所述电压跟随器的输入端、所述第二运算放大器的负极输入端以及所述第二运算放大器的输出端,所述第一运算放大器的负极输入端连接所述第一运算放大器的输出端、所述第二运算放大器的正极输入端以及所述电压跟随器的输出端,所述第二运算放大器的负极输入端与所述第二运算放大器的输出端连接,所述第一运算放大器的输出端与所述第二运算放大器的正极输入端连接,所述第二运算放大器的正极输入端连接所述电压跟随器的输出端。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,一个所述电压跟随器与同一个所述像素中至少三个所述子像素中的所述第二节点电连接。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器还包括多路输出选择器,所述多路输出选择器包括至少三个第二开关以及与每个所述第二开关对应的第一控制信号线,每个所述第二开关的控制端连接对应的第一控制信号线,每个所述第二开关的第一端连接所述电压跟随器的输出端,每个所述第二开关的第二端电连接一个所述子像素的所述第二节点。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,每个所述子像素还包括第三开关,所述第三开关的控制端连接第二控制信号线,第一端连接所述电压跟随器的输出端,第二端电连接所述第二节点。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述第一开关为薄膜晶体管。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述发光元件为有机发光二极管。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,每个所述像素包括一红色子像素、一蓝色子像素以及一绿色子像素。

9.一种如权利要求1-8任一项所述有机发光二极管显示器的显示方法,其特征在于,所述显示方法包括如下步骤:

获取阈值电压阶段,所述电压跟随器通过导通的所述第四开关将所述预设电压输入端载入的预设电压输出至所述第二节点,所述第一开关打开以将所述数据线载入的参考电压输入至所述第一节点,所述第二节点的电压抬升至所述第一节点和所述第二节点的电压差为所述阈值电压,所述电容器获取所述阈值电压;

数据电压写入阶段,所述第四开关截止,所述第一开关打开以将所述数据线载入的数据电压载入至所述第一节点,所述预设电压输入端在所述数据电压写入阶段处于高阻态;

发光阶段,所述驱动晶体管打开以驱动所述发光元件发光。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911154292.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top